技术编号:16854097
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体热电材料领域,特别是指一种Te纳米线/PEDOT:PSS复合薄膜的制备方法。背景技术Te纳米线(Te-NWs)材料因为具有较高的量子限域效应、特殊的能带结构和固有的内收敛性可以提供额外的电子通道实现电导率和Seebeck系数的同时提高,在热电材料的研究中具有很好的应用潜能。已经有理论计算表明低维Te纳米材料的热电优值(ZT),可以在室温左右达到0.35,鼓舞了人们将Te纳米材料应用于热电材料领域的研究。液相化学方法(水热法)是一种制备低维纳米材料的常用方法,这种方式不需要使用复杂...
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