技术编号：16888595
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种高温稳定的高介低损耗高绝缘电阻率无铅陶瓷电容器介质材料及其制备方法，主要应用于陶瓷电容器等电子元器件领域。技术背景多层陶瓷电容器是一种重要的基础电子元器件，被广泛应用于各种电子设备中。近年来，随着第三代半导体功率器件的迅速发展，新的高温电子装备及应用领域被不断开拓出来。已有研究表明用SiC、GaN等宽带隙半导体材料制作的器件，如MOSFET、Schottky整流器等，其工作温度能够达到300℃，为了适应SiC或GaN等有源器件工作温度的大幅提升，在电路中与之配套集成的陶瓷电容器等无...
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