技术编号:16895544
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体单晶硅材料制备技术,尤其涉及一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法。背景技术半导体单晶硅材料是半导体器件和集成电路等电子工业的基础材料。从提高硅器件和集成电路成品率、降低成本的角度而言,增大硅单晶的直径仍是今后直拉法硅单晶制备技术的发展趋势。大直径的直拉法硅单晶中往往存在着晶体原生粒子(Crystal Originated Particls)缺陷,简称为COP缺陷。当COP缺陷的尺寸达到特征线宽的尺度时,它将严重影响集成电路的栅氧化层完整性,而且随着集成电路特征线宽的减小,它的破...
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