技术编号:17159978
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于二氧化钒薄膜材料的制备领域,特别涉及一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法。背景技术VO2薄膜是一种相变材料,它可以在约68℃的条件下实现超快的金属-绝缘体相变。VO2薄膜相变前后物理性质发生明显的改变,其中VO2薄膜相变前后的电阻能发生几个数量级的变化。特别是,当结晶性较好的VO2薄膜生长在c-Al2O3基片上时,其相变后的电阻率与相变前的电阻率之比可以超过4个数量级。这种大幅度的相变前后电阻率的改变不仅体现了VO2薄膜良好的结晶性,而且还使得VO2薄膜能成为下一代晶体管的开关器件,光学开关...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。