技术编号:17243539
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路领域,尤其涉及一种低噪声放大器设计技术,具体提供一种后畸变CMOS低噪声放大器。背景技术互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的等比例缩减使得我们能够容易地设计出低噪声、低功耗的放大器,然而,CMOS晶体管的线性度却由于电源电压递减和迁移率的退化而恶化,这一挑战催生了若干线性化技术。回溯过去,最有效的线性化方法是多栅晶体管(MGTR)技术,如文献《T.W.Kim,B.-K.Kim,and K.-R.Lee,“Highly linear receiver front-end ado...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。