制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅与流程技术资料下载

技术编号:17424492

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本发明属于直拉单晶硅技术领域,具体而言,本发明涉及制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅。背景技术直拉法生产单晶硅时,根据产品电阻率的需要,通常在单晶硅生长过程中通过在硅原料熔融液中添加磷、锑、砷等掺杂剂来对其电阻率进行调整。在制备低电阻率单晶硅或重掺时,砷是一种较为理想的掺杂剂,但由于硅熔汤液面温度为1412℃,而砷在615℃升华,熔点也仅为814℃,所以砷以固体形态投入到硅熔汤时,砷会迅速融化并和氧反应,生成三氧化二砷(As2O3)等氧化物气泡,气泡在高温...
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