技术编号:17424492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于直拉单晶硅技术领域,具体而言,本发明涉及制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅。背景技术直拉法生产单晶硅时,根据产品电阻率的需要,通常在单晶硅生长过程中通过在硅原料熔融液中添加磷、锑、砷等掺杂剂来对其电阻率进行调整。在制备低电阻率单晶硅或重掺时,砷是一种较为理想的掺杂剂,但由于硅熔汤液面温度为1412℃,而砷在615℃升华,熔点也仅为814℃,所以砷以固体形态投入到硅熔汤时,砷会迅速融化并和氧反应,生成三氧化二砷(As2O3)等氧化物气泡,气泡在高温...
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