技术编号：17440267
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请的说明书所公开的技术涉及半导体装置的测定方法。背景技术如果针对使用了碳化硅(SiC)的肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode，即，SBD)，或者，针对使用了碳化硅(SiC)的结势垒控制肖特基二极管(junction barrier controlled schottky diode；JBS)，例如，如专利文献1(日本特开2014-229651号公报)所记载的那样，进行施加高电压的测试，则有时由于SiC中的晶体缺陷而产生点破坏。就以往的半导体芯片而言，有时流过电流的区...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。