技术编号:17493733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于高速缓存技术领域,尤其涉及一种用于读写操作的缓存电路和存储器。背景技术近年来,随着MCU(单片机)和SIM(Subscriber Identification Module,用户身份识别)卡等系统的广泛应用和升级,嵌入式存储器在这些系统中所占的比重越来越大,它的性能直接决定了整个系统的性能。嵌入式存储器系统往往包括写通道和读通道。图1示出了存储器的局部,写通道包括写操作缓存电路101。写操作缓存电路101设置有数据输入正端Din、数据输入负端Dinb、数据输出正端BL、数据输出负端BL...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。