技术编号:17535590
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请主张2016年9月29日提交申请的日本特愿2016-191212号的优先权,特在此将其全部记载内容作为公开内容进行引用。技术领域本发明涉及硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片。背景技术作为存在于硅晶片表面上的各种异常对象的评价方法,公知一种使用光散射式表面检查装置的方法(例如参见日本特开2002-340811号公报(特在此将其全部记载内容作为公开内容进行引用))。发明内容光散射式表面检查装置是如下装置:向作为评价对象的试样表面照射光,基于来自该表面的散射光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。