硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片与流程

本申请主张2016年9月29日提交申请的日本特愿2016-191212号的优先权，特在此将其全部记载内容作为公开内容进行引用。

本发明涉及硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片。

背景技术：

作为存在于硅晶片表面上的各种异常对象的评价方法，公知一种使用光散射式表面检查装置的方法(例如参见日本特开2002-340811号公报(特在此将其全部记载内容作为公开内容进行引用))。

技术实现要素：

光散射式表面检查装置是如下装置：向作为评价对象的试样表面照射光，基于来自该表面的散射光，检测存在于作为评价对象的试样表面的异常对象，该光散射式表面检查装置亦被称为激光表面检查装置、表面检查装置、面检查机等。光散射式表面检查装置通过扫描照射光，能够容易地评价作为评价对象的表面整体，因此广泛用于评价存在于硅晶片表面上的异常对象。

作为存在于硅晶片表面上的异常对象，可以举出凹状或凸状的表面的局部形状异常(缺陷)和被称为颗粒(particle)的表面附着异物。在用作半导体基板的硅晶片的表面存在这样的异常对象或在表面的一部分局部存在异常对象是使半导体器件的器件特性降低的原因。因此，在硅晶片的制造领域中，例如，对硅晶片表面的异常对象的存在状态(例如数量、分布状态)进行评价，基于其评价结果，对硅晶片的制造工序进行管理，以抑制异常对象向表面的引入。

而且，在更加微细化的半导体器件中，即使是比以往微小的异常对象也会成为使器件特性降低的原因。因此，随着近年来的半导体器件的进一步微细化，对提供抑制了更加微小的异常对象向表面的引入的高质量的硅晶片的需求日益提高。在该状况下，如果能够以更高灵敏度对硅晶片表面的异常对象进行检测，则能够提供与以往相比抑制了更加微小的异常对象向表面的引入的高质量的硅晶片。

本发明的一种方式提供能够以高灵敏度评价存在于硅晶片表面的异常对象的新方法。

解决技术问题的手段

本发明的一种方式提供一种硅晶片的评价方法(以下亦简单地记载为“评价方法”)，其包括：

第一判定，利用光散射式表面检查装置(以下亦记载为“表面检查装置”)检查作为评价对象的硅晶片的表面，判定是否存在异常对象；以及

第二判定，利用原子力显微镜(atomicforcemicroscope；afm)，观察在作为评价对象的硅晶片的表面中在第一判定中未确认到异常对象存在的区域，判定是否存在异常对象。

上述评价方法包括由光散射式表面检查装置实施的第一判定和由afm实施的第二判定。第二判定在第一判定中未确认到异常对象存在的区域中实施。另外，有关硅晶片的评价，以往有时为了评价表面粗糙度，利用afm对使用光散射式表面装置检测出的异常对象的形体进行观察。但是，为了在利用光散射式表面检查装置未确认到异常对象的区域中检测异常对象而使用afm是经过本发明者的锐意研究的结果而初次实施的。由此，能够利用afm来检查利用光散射式表面检查装置未确认到的异常对象、即利用光散射式表面检查装置被忽视的微小的异常对象。其结果是，基于第一判定和第二判定的判定结果，与仅利用光散射式表面检查装置实施的评价相比，能够以高灵敏度评价硅晶片表面的异常对象的存在状态。

在本发明和本说明书中，硅晶片表面的异常对象是指包括凹状缺陷、凸状缺陷以及表面附着异物的含义。异常对象的具体方式会在后面阐述。

在一种方式中，所述异常对象是起因于加工的缺陷。

在一种方式中，所述异常对象是从由凹状缺陷和凸状缺陷构成的组中选择的一种以上的异常对象。

在一种方式中，作为评价对象的硅晶片是具有研磨面的抛光晶片，该研磨面是判定是否存在所述异常对象的表面。

在一种方式中，所述异常对象是线状缺陷。

在一种方式中，所述线状缺陷包括宽度在200nm以下的线状缺陷。

在一种方式中，第二判定包括判定是否存在所述宽度在200nm以下的线状缺陷。

本发明的另一种方式提供一种硅晶片制造工序的评价方法，其包括：利用所述评价方法评价在作为评价对象的硅晶片的制造工序中制造的硅晶片；以及基于所述评价的结果判定是否需要进行作为评价对象的硅晶片制造工序的工序维护作业。

在一种方式中，作为评价对象的硅晶片制造工序是包括研磨工序的抛光晶片制造工序，并且上述工序维护作业包括研磨工序的工序维护作业。

本发明的另一种方式涉及一种硅晶片的制造方法，包括在硅晶片制造工序中实施硅晶片的制造，还包括：

利用所述评价方法评价在所述硅晶片制造工序中制造出的至少一个硅晶片；

基于所述评价的结果判定是否需要进行所述硅晶片制造工序的工序维护作业；以及

在所述判定的结果判定为不需要进行工序维护作业的情况下，不实施工序维护作业而在所述硅晶片的制造工序中进一步实施硅晶片的制造；在判定为需要进行工序维护作业的情况下，在实施了所述硅晶片制造工序的工序维护作业之后，在所述硅晶片制造工序中进一步实施硅晶片的制造。

在一种方式中，所述硅晶片制造工序是包括研磨工序在内的抛光晶片制造工序，并且所述工序维护作业包括研磨工序的工序维护作业。

本发明的另一种方式提供一种硅晶片的制造方法，其包括：

准备硅晶片的批次，该批次包括多个硅晶片；

从所述批次中抽取至少一个硅晶片；

对所述抽取的硅晶片进行评价；以及

对在与通过所述评价判定为合格的硅晶片同一批次中包含的至少一个硅晶片实施用于作为产品硅晶片出厂的准备；

并且利用所述评价方法对所述抽取的硅晶片实施评价。

在一种方式中，所述硅晶片的批次是抛光晶片的批次。

本发明的另一种方式提供在表面上不存在宽度在200nm以下的线状缺陷的硅晶片。

在一种方式中，所述硅晶片是抛光晶片。

按照本发明的一种方式，能够提供一种能够以高灵敏度检测硅晶片表面的异常对象的硅晶片的评价方法。通过使用该评价方法，能够提供抑制了向表面中引入更微小的异常对象的高质量的硅晶片。

附图说明

图1是实施例中在作为评价对象的抛光晶片的表面上观察到的线状缺陷的示意图。

图2是示出在实施例中在第一判定中未确认到线状缺陷的区域中由第二判定确认到的线状缺陷的afm图像的一个例子。

具体实施方式

[硅晶片的评价方法]

本发明的一种方式所涉及的硅晶片的评价方法包括：第一判定，利用光散射式表面检查装置来检查作为评价对象的硅晶片的表面，判定是否存在异常对象；以及第二判定，利用原子力显微镜(afm)观察作为评价对象的硅晶片的表面中在第一判定中未确认到异常对象存在的区域，判定是否存在异常对象。

以下，更加详细地说明上述评价方法。

<作为评价对象的硅晶片、作为判定对象的异常对象>

上述评价方法中的作为评价对象的硅晶片可以是各种硅晶片，没有特别限定。作为评价对象的硅晶片例如可以是从单晶硅锭切出之后经过了各种加工工序的单晶硅晶片，例如可以是实施了研磨而在表面上具有研磨面的抛光晶片。或者作为评价对象的硅晶片也可以是在单晶硅晶片上具有外延层的外延晶片、利用退火处理在单晶硅晶片上形成有改性层的退火晶片等各种硅晶片。另外，作为评价对象的硅晶片既可以是n型，也可以是p型。另外，其掺杂剂浓度(即电阻率)、氧浓度等都没有限定。作为评价对象的硅晶片的表面的直径例如为200mm、300mm或450mm，但并没有特别限定。

在上述评价方法中，在作为评价对象的硅晶片的表面上，经由第一判定和第二判定这两个阶段的判定来判定是否存在异常对象。该异常对象中，如上所述包括凹状缺陷、凸状缺陷以及表面附着异物。

作为异常对象的一种方式的凹状或凸状缺陷是表面的局部形状异常，凹状缺陷是所谓的槽。另一方面，凸状缺陷是表面的一部分的局部鼓起(突起)。这样的表面的局部形状异常通常因机械加工或者化学加工而引入硅晶片表面。作为一个例子，抛光晶片通常依次经由粗研磨、蚀刻、镜面研磨(精研磨)等工序制造，在表面上具有研磨面(镜面)。有时因研磨等加工工序导致在研磨面中引入缺陷。作为这种缺陷的一个例子，可与举出线状缺陷。线状缺陷是指线状的凹状或凸状缺陷，但并不必须是俯视形状为完全的直线。例如，在抛光晶片的研磨面上存在的线状的凹状或凸状缺陷一般被称为划痕，通常，因研磨而引入。另外，在凸状缺陷中还有被称为pid(polishedinduceddefect：研磨引发缺陷)缺陷。pid通常因镜面研磨而引入抛光晶片的研磨面。由此，在一种方式中缺陷是在硅晶片的制造工序中实施的加工工序中引入到硅晶片表面的加工起因缺陷。

另一方面，异常对象的另一种方式是表面附着异物，一般被称为颗粒。

上述评价方法中的作为判定对象的异常对象也可以是上述任意一种方式的异常对象。可以与异常对象的种类无关，将在作为评价对象的硅晶片的表面中存在的各种异常对象作为判定对象，也可以选择性地将某个特定的异常对象作为判定对象。在上述评价方法中，经由第一判定和第二判定两个阶段的判定，判定作为评价对象的硅晶片表面是否存在异常对象。以下更加详细地说明异常对象的判定的详情。

<第一判定>

在第一判定中，利用光散射式表面检查装置检查作为评价对象的硅晶片的表面来判定有无异常对象。作为光散射式表面检查装置，能够无限制地使用公知结构的光散射式表面检查装置。光散射式表面检查装置通常使用激光对作为评价对象的硅晶片表面进行扫描，通过测定来自存在于表面中的异常对象的光散射强度，识别异常对象的位置和光学尺寸。激光可以使用紫外光、可见光等，其波长没有特别限定。紫外光是指小于400nm的波长范围的光，可见光是指400～600nm波长范围的光。作为出售的光散射式表面检查装置的具体例，能够举出klatencor(科磊)公司制surfscan系列sp1、sp2、sp3、sp5等。但是，这些装置为例示，也能够使用其他光散射式表面检查装置。

第一判定中的利用光散射式表面检查装置进行的检查可以利用激光对作为评价对象的硅晶片的表面的一部分进行扫描来实施，也可以对整个表面进行扫描来实施。由于光散射式表面检查装置是容易进行整个面检查的装置，所以第一判定优选利用光散射式表面检查装置来检查作为评价对象的硅晶片表面的整个表面，在整个表面上判定是否存在异常对象。

<第二判定>

在第二判定中，在上述第一判定之后，利用原子力显微镜(afm)，观察在第一判定中未确认到异常对象存在的区域，判定是否存在异常对象。通过实施这样两个阶段的判定，能够利用afm检查利用光散射式表面检查装置难以检测到的微小的异常对象。其结果是，与仅利用光散射式表面检查装置的以往评价相比，能够以更高灵敏度评价硅晶片表面的异常对象的存在状态。可以设想因高灵敏度化的发展，光散射式表面检查装置有可能在将来能够检测利用以往的光散射式表面检查装置检测不到的异常对象。针对于此，采用上述评价方法，能够在这样的光散射式表面检查装置的高灵敏度化的发展之前，检测利用光散射式表面检查装置难以检测到的异常对象。

afm的测定模式大致分为接触模式与非接触模式。在接触模式下，使安装于悬臂的前端的探针(探测器)接触试样表面，在试样表面上进行扫描。另一方面，在非接触模式下，使探针与试样表面处于非接触状态，一边在探针与试样表面之间保持一定的间隔，一边使探针在试样表面上方扫描。第二判定中由afm进行的观察可以使尉上述任意一种模式实施。优选的是，第二判定中由afm进行的观察以如下方式实施：能够检测第一判定中的光散射式表面检查装置的检测下限以下、或利用光散射式表面检查装置倾向于易被忽视的尺寸的异常对象。因此，优选的是，采用afm观察的观察条件设定为异物的检测灵敏度高于在第一判定中使用的光散射式表面检查装置。例如，afm的探针的前端曲率半径越小，afm的异常对象的检测灵敏度越高。因此，作为afm的探针优选使用具有如下前端曲率半径的探针：能够检测第一判定中的光散射式表面检查装置的检测下限以下或利用光散射式表面检查装置倾向于易被忽视的尺寸的异常对象。作为一个例子，afm的探针的曲率半径可以是1～5nm左右。但是，例如也能够通过提高afm的拍摄像素数来提高afm的异常对象的检测灵敏度，因此afm的探针的曲率半径并不局限于上述范围。拍摄像素数作为一个例子，能够设定为512pixel×256pixel，但并不限定于该值。

例如关于线状缺陷，根据本发明者的研究，如果线状缺陷的宽度超过200nm，则利用光散射式表面检查装置倾向于容易确认出存在线状缺陷，如果为200nm以下，则倾向于易被忽视。在此，线状缺陷的宽度是指从俯视观察的缺陷形状(线状)的一端到另一端的直线距离。通过利用afm检测在利用这种光散射式表面检查装置的检查中倾向于易被忽视的宽度在200nm以下的线状缺陷进行检测，与仅使用光散射式表面检查装置实施的评价相比，能够以高灵敏度评价作为评价对象的硅晶片表面的异常对象的存在状态。采用afm，能够检测例如宽度在80～200nm以下的线状缺陷。但是，利用afm，也能够检测宽度超过200nm而在利用光散射式表面检查装置的检查中被忽视的线状缺陷。

第二判定中的利用afm的观察是在第一判定中未确认到异常对象存在的区域的至少一部分中实施，可以在上述整个区域实施，也可以在特定的区域实施。例如，为了可靠地检测在作为评价对象的硅晶片表面的中心部、r/2部(沿径向的其中央部)、边缘部等特定区域中是否存在异常对象，可以仅在上述特定区域实施第二判定。

能够利用由上述第一判定得到的判定结果和由第二判定得到的判定结果，基于硅晶片表面中的异常对象的存在状态，实施对硅晶片的评价。作为评价项目可以举出在硅晶片表面上确认到(检测出)存在的异常对象的数量和分布状态等。例如，作为评价基准可以列举：对在第一判定中检测出的异常对象的数量和在第二判定中检测出的异常对象的数量的合计数设定阈值，如果合计数在阈值以下，则判定为异常对象较少的合格水准；利用第一判定和第二判定的判定结果对异常对象进行映射评价，如果确认到异常对象在硅晶片表面上局部地密集的异常分布状态，则判定为不合格水准；如果确认到在应排除异常对象存在的特定位置上存在异常对象，则判定为不合格水准等。这样的评价结果能够用于对是否需要硅晶片的工序维护作业的判定、抽样检查的优劣判定等。这些的详情将在后面阐述。

采用以上说明的本发明的一种方式涉及的评价方法，与仅利用光散射式表面检查装置的评价相比，能够以高灵敏度评价硅晶片表面的异常对象的存在状态。

[硅晶片制造工序的评价方法]

本发明的一种方式提供一种硅晶片制造工序的评价方法，其包括：利用上述评价方法评价在作为评价对象的硅晶片制造工序中制造的硅晶片；以及基于上述评价的结果判定是否需要评价对象的硅晶片制造工序的工序维护作业。

以下更加详细地说明上述硅晶片制造工序的评价方法。

作为评价对象的硅晶片制造工序，能够举出前面记载的用于制造各种硅晶片的工序。例如，抛光晶片能够利用以下制造工序制造，该制造工序包括：从采用提拉法(cz法)等培育出的单晶硅锭切断硅晶片(切片)、粗研磨(例如磨削)、蚀刻、镜面研磨(精研磨)、以及在上述工序之间或加工工序后进行的清洗。另外，能够对如上所述制造出的抛光晶片实施退火处理来制造退火晶片。能够通过在如上所述制造出的抛光晶片的表面上气相生长(外延生长)外延层来制造外延晶片。能够利用上述硅晶片制造工序的评价方法，判定是否需要进行这样的各种硅晶片的制造工序的工序维护作业。工序维护作业是指实施从由制造工序中的制造装置的部件的更换、部件的修补、部件的清洗以及药液的更换构成的组中选出的至少一个。例如，部件、药液的劣化等成为向在晶片制造工序中制造出的硅晶片表面引入异常对象的原因。针对于此，通过实施如上所述的工序维护作业，能够抑制向在硅晶片制造工序中制造出的硅晶片表面引入异常对象。但是，难以在没有任何指标的情况下判定是否需要工序维护作业，而且效率不高。针对于此，在上述硅晶片制造工序的评价方法中，利用本发明的一种方式涉及的硅晶片的评价方法，评价在作为评价对象的硅晶片的制造工序中制造出的硅晶片，基于所得到的结果，判定是否需要进行作为评价对象的硅晶片的制造工序的工序维护作业。即，将利用本发明一种方式的硅晶片的评价方法进行评价而得到的结果作为指标，能够判定是否需要工序维护作业。是否需要工序维护作业例如能够基于前面记载的与硅晶片相关的评价基准进行判定。判定为需要进行工序维护作业的阈值等判定基准并没有特别限定，能够根据产品硅晶片所要求的质量设定。

如果评价的结果判定为需要进行工序维护作业，则实施硅晶片的制造工序的工序维护作业。工序维护作业如前所述。作为一个例子，在抛光晶片的制造工序中实施研磨工序的工序维护作业的情况下，作为工序维护作业的具体方式，能够举出研磨布的更换、包含研磨磨粒的浆料的更换等。例如研磨布、浆料的劣化有时会成为向抛光晶片的研磨面引入被称为划痕的线状的凹状或者凸状缺陷的原因。基于本发明的一种方式涉及的硅晶片的评价方法，对在评价对象的制造工序中制造出的抛光晶片的研磨面上存在的划痕实施评价，如果基于所得到的结果(研磨面上划痕的存在状态)实施研磨工序的工序维护作业，则能够在工序维护作业后抑制向抛光晶片的研磨面引入划痕。

[硅晶片的制造方法、硅晶片]

本发明的一种方式提供一种硅晶片的制造方法(以下记载为“制造方法1”)，包括在硅晶片制造工序中实施硅晶片的制造，还包括：利用上述评价方法评价在上述硅晶片制造工序中制造出的至少一个硅晶片；基于上述评价的结果判断是否需要进行上述硅晶片制造工序的工序维护作业；在上述判定的结果判定为不需要进行工序维护作业的情况下，不进行工序维护作业，而在上述硅晶片的制造工序中进一步实施硅晶片的制造；在判定为需要进行工序维护作业的情况下，在实施了上述硅晶片制造工序的工序维护作业之后，在上述硅晶片制造工序中进一步实施硅晶片的制造。

制造方法1包括利用如上所述的本发明一种方式涉及的硅晶片的制造工序的评价方法来评价硅晶片的制造工序，并且.根据需要实施工序维护作业。制造工序的评价和工序维护作业的详情参见前述内容。通过以上述方式判定是否需要进行工序维护作业，并根据需要实施工序维护作业，能够提供抑制了向表面引入异常对象的高质量的硅晶片。另外，在硅晶片的制造工序中，通常连续或断续地实施多个硅晶片的制造。实施评价的硅晶片只要是以上述方式制造出的多个硅晶片中的一个以上即可，也可以是两个以上，实施评价的硅晶片的数量并没有特别限定。

制造方法1的一种方式是抛光晶片的制造方法，工序维护作业等的详情如前所述。但是，制造方法1并不局限于抛光晶片的制造方法，也可以是前面例示出的各种硅晶片的制造方法。

另外，本发明的一种方式提供一种硅晶片的制造方法(以下记载为“制造方法2”)，其包括：准备硅晶片的批次，该批次包括多个硅晶片；从上述批次中抽取至少一个硅晶片；对上述抽取的硅晶片进行评价；以及对与通过上述评价判定为合格的硅晶片同一批次中包含的至少一个硅晶片实施用于作为产品硅晶片出厂的准备；并且，利用上述评价方法实施对上述抽取的硅晶片的评价。

制造方法2包括：实施批次抽样检查，利用本发明一种方式的硅晶片的评价方法对取样(抽样)的硅晶片进行评价。而且如果评价的结果判定为取样的硅晶片合格，则对与该硅晶片同一批次中包含的至少一个硅晶片实施用于作为产品硅晶片出厂的准备。另一方面，如果判定为不合格，则不作为产品出厂，或者是在实施了去除或者减少异常对象的工序之后，实施用于作为产品硅晶片出厂的准备。由此，能够提供抑制了向表面引入异常对象的高质量的硅晶片。作为用于作为产品硅晶片出厂的准备，例如，可以列举包装等。

在制造方法2中，能够基于前面记载的与硅晶片相关的评价基准，判定取样并评价后的硅晶片是合格还是不合格。判定为不合格的阈值等判定基准没有特别限定，能够根据产品硅晶片所要求的质量设定。另外，取样的硅晶片只要为批次内的一个以上的硅晶片即可，可以是两个以上，取样的硅晶片的数量没有特别限定。

制造方法2的一种方式是抛光晶片的制造方法，上述硅晶片的批次是抛光晶片的批次。抛光晶片的制造方法的详情如前面记载所述。但是，制造方法2并不局限于抛光晶片的制造方法，也可以是前面列举的各种硅晶片的制造方法。

按照以上说明的制造方法1或者制造方法2，与仅利用光散射式表面检查装置实施的评价相比，作为以高灵敏度评价硅晶片表面的异常对象的存在状态的结果，能够提供减少或排除了异常对象的存在的高质量的硅晶片。其结果，能够提供在表面上不存在宽度在200nm以下的线状缺陷的硅晶片。即，按照本发明的一种方式，还提供在表面上不存在宽度在200nm以下的线状缺陷的硅晶片。进而，按照本发明的一种方式，提供利用制造方法1或者制造方法2制造的硅晶片。在一种方式中，该硅晶片可以是抛光晶片，但是并不局限于此，也可以是前面列举的各种硅晶片。

【实施例】

以下，基于实施例进一步说明本发明。但是，本发明并不局限于实施例所示的方式。

1.作为评价对象的硅晶片(抛光晶片)的准备

对从利用cz法培育出的单晶硅锭切(切片)出的硅晶片实施粗研磨(磨削)、由蚀刻液进行的蚀刻、镜面研磨(精研磨)以及清洗，得到直径300mm的抛光晶片。

2.第一判定

作为光散射式表面检查装置利用hsn(high-sensitivity-normal高灵敏度-正常)模式使用klatencor公司制surfscan系列sp3，对在上述1.中准备的抛光晶片的研磨面的整个表面扫描激光，检测线状缺陷。

3.第二判定

利用afm观察在上述2.的第一判定中未检测出线状缺陷的区域的多个部位，检测线状缺陷。

作为afm的测定条件，使探针前端曲率半径为2～3nm，使拍摄像素数为512pixel×256pixel，使测定面积为20μm×20μm，并且使测定模式为非接触模式。

4.评价结果

图1是在作为评价对象的抛光晶片的表面中观察到的线状缺陷的示意图。图1中，以实线示出的线状缺陷是通过第一判定利用光散射式表面检查装置确认到的线状缺陷，以虚线示出的线状缺陷是通过第二判定利用afm确认到的线状缺陷。另外，图中的实线和虚线的长度只是示意性地示出。

在第二判定中，例如，在第一判定中未确认到线状缺陷的区域的十个部位中的七个部位，确认到线状缺陷。图2示出以上述方式确认到的线状缺陷的afm图像的一个例子。在第二判定中，在上述七个部位检测出的线状缺陷都是宽度在200nm以下的线状缺陷(具体而言宽度为90nm～200nm的凹状的线状缺陷)。

另一方面，从在第一判定中观察到的线状缺陷中抽取任意七个，在与上述3.相同的测定条件下利用afm进行了形态观察，结果都是线状缺陷，这些线状缺陷的宽度超过200nm(具体而言230nm～390nm的凹状的线状缺陷)。

如果考虑制造工序，则判定为上述凹状的线状缺陷都是因研磨而产生的划痕。

因此，作为研磨工序的工序维护作业，在实施了镜面研磨所使用的研磨布的更换和浆料的更换之后，再次通过上述1.的制造工序得到抛光晶片。对以上述方式在工序维护作业后得到的抛光晶片实施了上述2.的第一判定和上述3.的第二判定，结果没有确认到异常对象的存在。也就是说，在工序维护作业后，得到了在表面中不存在宽度在200nm以下的线状缺陷的抛光晶片。

根据以上结果，能够确认：利用光散射式表面检查装置倾向于检测不到宽度在200nm以下的线状缺陷；以及通过除了光散射式表面装置以外还利用afm，能够检测出这种线状缺陷，从而能够高灵敏度地检测硅晶片表面的缺陷。而且，通过利用该评价结果，以上述记载的方式实施工序维护作业，能够提供抑制了向表面引入更微小的异常对象的硅晶片。

此外，还能够将如上所述的评价方法以上述记载的方式用于批次抽样检查中。

本发明的一种方式在各种硅晶片的制造领域中是有用的。