一种晶片背面清洗装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体行业晶片处理领域，具体地说是一种用于前道半导体工艺的晶片背面清洗装置。
【背景技术】
[0002]用于半导体集成电路的晶片需进行多次光刻胶涂布和显影，在晶片表面会有多层线路，晶片在传送和工艺处理过程中晶片背面会有颗粒污染，这样就需要对背面进行清洗，但背面清洗时不能有物体或液体接触晶片表面，这时就需对晶片正面进行防护。
【发明内容】
[0003]本发明涉及半导体行业晶片处理领域，具体地说是一种用于前道半导体工艺的晶片背面清洗装置，用于晶片的背面清洗，清洗液不会溅落在晶片正面，也不会对晶片正面的图形造成损伤。
[0004]本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
[0005]一种晶片背面清洗装置，包括晶片夹持机构、承片台、清洗腔体和吹干装置，待清洗的晶片背面朝下放置于所述承片台上，该晶片通过可升降的晶片夹持机构带动升降，清洗腔体在晶片上升停止后移动至该晶片下方，所述清洗腔体内设有毛刷和背喷管，晶片在开始清洗前下降以使背面与清洗腔体内的毛刷相抵，所述毛刷在清洗晶片时旋转，所述背喷管在清洗晶片时喷出清洗液，晶片在清洗干净后上升至吹干位置，所述背喷管在吹干晶片时喷出气体，所述晶片夹持机构上安装有清洗以及吹干晶片时向该晶片的上表面吹气的吹干装置，所述吹干装置随晶片夹持机构一同升降。
[0006]所述晶片夹持机构包括气爪和夹持臂，夹持臂分别安装在气爪两侧，在所述夹持臂上安装有夹持晶片用的夹持爪。
[0007]所述气爪与一个滚珠丝杆机构连接，该滚珠丝杠机构与驱动晶片夹持机构升降的电机相连。
[0008]所述吹干装置为封闭的圆环状结构，底面均布有吹气孔，所述吹干装置通过管路与供气系统相连。
[0009]所述清洗腔体的底面上设有旋转电机，所述毛刷通过所述旋转电机带动旋转。
[0010]所述清洗腔体与一个滚珠丝杆机构连接，该滚珠丝杠机构与驱动清洗腔体水平移动的电机相连。
[0011]所述承片台为三针承片台，该承片台与晶片采用点式接触。
[0012]晶片在上升至吹干位置时仍处于清洗腔体内。
[0013]本发明的优点与积极效果为:
[0014]1、本发明不损伤晶片表面的图形，就可以完成对晶片背面的清洗。
[0015]2、本发明采用三针承片台，承片台与晶片间采用点式接触，减少交叉污染。
【附图说明】
[0016]图1为本发明的机构立体图，
[0017]图2为图1中本发明的侧视图，
[0018]图3为图1中清洗腔体内部结构示意图。
[0019]其中，1为晶片夹持机构，2为晶片,3为吹干装置,4为承片台，5为清洗腔体,6为毛刷，7为背喷管,8为旋转电机,9为气爪，10为夹持臂，11为夹持爪。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图对本发明作进一步详述。
[0021]如图1?3所示，本发明包括晶片夹持机构1、吹干装置3、承片台4、清洗腔体5、毛刷6和旋转电机8，其中承片台4设置于该装置最底端，待清洗的晶片2背面朝下放置于所述承片台4上，所述承片台4为三针承片台，该承片台4与晶片2采用点式接触，可防止承片台4上的颗粒附着在晶片2的背面，减少交叉污染，可升降的晶片夹持机构I即用于夹持放置于所述承片台4上的的晶片2，所述晶片夹持机构I包括气爪9和安装在所述气爪9两侧的夹持臂10，在所述夹持臂10上安装有夹持晶片2用的夹持爪11，所述夹持爪11在夹持时只夹持晶片2的边缘，不会接触到晶片2的背面，所述气爪9与一个滚珠丝杆机构连接，一个电机通过该滚珠丝杠机构实现晶片夹持机构I的升降，此为本领域公知常识，该滚珠丝杆机构通过支架固定在设备架体上。在晶片夹持机构I上还安装有清洗及吹干晶片2时向晶片2的上表面吹气的吹干装置3，所述吹干装置3随晶片夹持机构I 一同升降，所述吹干装置3为一个封闭的圆环状结构，在圆环的下表面均布有吹气孔。所述吹干装置3通过管路与供气系统相连，并通过供气系统控制吹气，此为本领域公知技术。
[0022]所述清洗腔体5能够水平移动，当晶片夹持机构I夹持晶片2上升或下降时，清洗腔体5水平移开以使晶片夹持机构I顺利升降，当晶片夹持机构I夹持晶片2上升停止后，清洗腔体5即水平移动至该晶片2正下方。所述清洗腔体5与一个滚珠丝杆机构相连，一个电机通过该滚珠丝杠实现清洗腔体5的水平移动，此为本领域公知技术，该滚珠丝杠机构通过支架安装在设备架体上。
[0023]如图3所示，所述清洗腔体5内设有清洗晶片2用的毛刷6，所述毛刷6通过安装在清洗腔体5底面上的旋转电机8带动旋转，在清洗腔体5内还设有能够喷出清洗液或气体的背喷管7，其中控制所述背喷管7喷清洗液或喷气为本领域公知技术。清洗晶片2时，晶片夹持机构I夹持晶片2下降使所述毛刷6与晶片2的背面相抵，毛刷6在旋转电机8的带动下旋转，此时背喷管7对准晶片2的背面喷出清洗液，与毛刷6配合清洗晶片2背面，同时位于晶片夹持机构I上端的吹干装置3向晶片2的上表面吹气，防止清洗液溅落到晶片2的上表面上。清洗干净后的晶片2在晶片夹持机构I带动下上升至吹干位置，此时晶片2仍处在清洗腔体5内部，背喷管7喷出气体将晶片2背面吹干，同时吹干装置3依旧处于吹气状态，晶片2吹干后，吹干装置3与背喷管7同时停止吹气，晶片2在晶片夹持机构I带动下上升完全脱离清洗腔体5。
[0024]本发明的工作原理为:
[0025]待清洗的晶片2背面朝下放置于所述承片台4上，晶片夹持机构I夹持该晶片2上升，晶片2上升到位后，清洗腔体5水平移动至该晶片2下方，晶片夹持机构I夹持晶片2下降，使晶片2的背面与清洗腔体5内的毛刷6相抵，毛刷6在旋转电机8的带动下旋转，背喷管7对准晶片2的背面喷出清洗液，与毛刷6配合清洗晶片2背面，同时位于晶片夹持机构I上端的吹干装置3向晶片2的上表面吹气，防止清洗液溅落到晶片2的上表面上，晶片2清洗干净后背喷管7停止喷液，晶片2在晶片夹持机构I带动下上升至吹干位置，此时晶片2仍处在清洗腔体5内部，背喷管7此时喷出气体将晶片2背面吹干，同时吹干装置3依旧处于吹气状态，晶片2吹干后，吹干装置3与背喷管7停止吹气，晶片2在晶片夹持机构I带动下上升完全脱离清洗腔体5，清洗腔体5水平移开，晶片2通过晶片夹持机构I带动下降并放置于承片台4上，完成清洗。
【主权项】
1.一种晶片背面清洗装置，其特征在于:包括晶片夹持机构(I)、承片台(4)、清洗腔体(5)和吹干装置(3)，待清洗的晶片(2)背面朝下放置于所述承片台(4)上，该晶片(2)通过可升降的晶片夹持机构(I)带动升降，清洗腔体(5)在晶片(2)上升停止后移动至该晶片(2)下方，所述清洗腔体(5)内设有毛刷(6)和背喷管(7)，晶片(2)在开始清洗前下降以使背面与清洗腔体(5)内的毛刷(6)相抵，所述毛刷(6)在清洗晶片(2)时旋转，所述背喷管(7)在清洗晶片(2)时喷出清洗液，晶片(2)在清洗干净后上升至吹干位置，所述背喷管(7)在吹干晶片(2)时喷出气体，所述晶片夹持机构(I)上安装有清洗以及吹干晶片(2)时向该晶片(2)的上表面吹气的吹干装置(3)，所述吹干装置(3)随晶片夹持机构(I) 一同升降。2.根据权利要求1所述的晶片背面清洗装置，其特征在于:所述晶片夹持机构(I)包括气爪(9)和夹持臂(10)，夹持臂(10)分别安装在气爪(9)两侧，在所述夹持臂(10)上安装有夹持晶片(2)用的夹持爪(11)。3.根据权利要求2所述的晶片背面清洗装置，其特征在于:所述气爪(9)与一个滚珠丝杆机构连接，该滚珠丝杠机构与驱动晶片夹持机构(I)升降的电机相连。4.根据权利要求1所述的晶片背面清洗装置，其特征在于:所述吹干装置(3)为封闭的圆环状结构，底面均布有吹气孔，所述吹干装置(3)通过管路与供气系统相连。5.根据权利要求1所述的晶片背面清洗装置，其特征在于:所述清洗腔体(5)的底面上设有旋转电机(8)，所述毛刷(6)通过所述旋转电机(8)带动旋转。6.根据权利要求1或5所述的晶片背面清洗装置，其特征在于:所述清洗腔体(5)与一个滚珠丝杆机构连接，该滚珠丝杠机构与驱动清洗腔体(5)水平移动的电机相连。7.根据权利要求1所述的晶片背面清洗装置，其特征在于:所述承片台(4)为三针承片台，该承片台(4)与晶片(2)采用点式接触。8.根据权利要求1所述的晶片背面清洗装置，其特征在于:晶片(2)在上升至吹干位置时仍处于清洗腔体(5)内。
【专利摘要】本发明涉及半导体行业晶片处理领域，具体地说是一种用于前道半导体工艺的晶片背面清洗装置，包括晶片夹持机构、承片台、清洗腔体和吹干装置，待清洗的晶片放置于承片台上并通过晶片夹持机构夹起升降，清洗腔体在晶片上升停止后水平移动至该晶片下方，在清洗腔体内设有毛刷和背喷管，清洗晶片时，晶片夹持机构夹持晶片下降使晶片的背面与毛刷相抵，毛刷在旋转电机的带动下旋转，背喷管喷出清洗液配合毛刷清洗晶片，晶片清洗干净后上升至吹干位置，此时背喷管喷出气体吹干晶片背面，在晶片清洗及吹干时，安装在晶片夹持机构上的吹气装置向晶片的上表面吹气。本发明使清洗液不会溅落在晶片正面，不会对晶片正面造成损伤。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/02
【公开号】CN105097438
【申请号】CN201410220405
【发明人】胡延兵, 卢继奎
【申请人】沈阳芯源微电子设备有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月23日