硅晶片脱胶工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种同一晶托上的胶体一起脱落的硅晶片脱胶工艺，采用如下脱胶机，该脱胶机包括一号槽、二号槽、三号槽、四号槽、五号槽和六号槽，一号槽和二号槽的水温是25～30℃，三号槽和四号槽的水温是30℃，五号槽里的是乳酸溶液且温度为65～70℃，乳酸与水的质量比是1∶1.5，六号槽的水温40～45℃，硅晶片先在一号槽和二号槽内分别喷淋550s，然后将硅晶片放到三号槽和四号槽中分别超声处理90s，之后将硅晶片放入五号槽中浸泡450s～500s，最后将硅晶片放入六号槽浸泡50s后取出。本发明的优点是：乳酸的软化胶体就能保证所有硅晶片上的胶体一起脱落，从而避免在脱胶的过程中部分硅晶片氧化。
【专利说明】
硅晶片脱胶工艺
技术领域
[0001]本发明涉及到一种硅晶片脱胶工艺。
【背景技术】
[0002]硅晶片是由硅棒用胶体黏在晶托上后切割而成的，切割好后的硅晶片需要进行脱胶处理，常规的脱胶工艺存在脱胶不完善，有残胶导致硅晶片报废，或者脱胶的时候，第一片硅晶片脱离开始至最后一片硅晶片脱落的时间过长，在脱胶过程中又不能将先脱好的取出，这样就会导致先脱落硅晶片发生氧化反应，从而使得先脱落的硅晶片报废。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是:提供一种同一晶托上的胶体一起脱落的硅晶片脱胶工艺。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为:一种硅晶片脱胶工艺，车间温度25±3°C，湿度30?60%，采用如下脱胶机，该脱胶机包括一号槽、二号槽、三号槽、四号槽、五号槽和六号槽，一号槽和二号槽的水温是25?30°C，三号槽和四号槽的水温是30°C，五号槽里的是乳酸溶液且温度为65?70°C，乳酸与水的质量比是I: 1.5，六号槽的水温40?450C，娃晶片先在一号槽和二号槽内分别喷淋550s，喷淋时，娃晶片两侧的喷头上下摆动，确保硅晶片上的胶体至硅晶片中部之间的部位都被喷到，然后将硅晶片放到三号槽和四号槽中分别超声处理90s，之后将娃晶片放入五号槽中浸泡450s?500s，最后将娃晶片放入六号槽浸泡50s后取出，其中所述胶体含有如下质量比的组分，改性丙烯酸脂树脂25?30%，甲基丙稀酸轻乙酯35?50%，过氧化氢异丙苯I?5%，邻磺酰苯甲酰亚胺0.1?0.4%，N，N_二甲基苯胺0.1?0.2 %，硅微粉30?40 %。
[0005]本发明的有益效果是:通过前续处理后，再经过乳酸的软化胶体就能保证所有硅晶片上的胶体一起脱落，从而避免在脱胶的过程中部分硅晶片氧化，从而提高硅晶片的合格率，降低生产成本。
【具体实施方式】
[0006]本发明所述的硅晶片脱胶工艺，车间温度25±3°C，湿度30?60%，采用如下脱胶机，该脱胶机包括一号槽、二号槽、三号槽、四号槽、五号槽和六号槽，一号槽和二号槽的水温是25?30°C，三号槽和四号槽的水温是30°C，五号槽里的是乳酸溶液且温度为65?70°C，乳酸与水的质量比是1:1.5，乳酸溶液的温度和浓度直接影响胶体能否一起脱落的关键要素，一号槽至四号槽确保在软化胶体之前保证硅晶片干净，避免杂质影响硅晶片上胶体的软化。六号槽的水温40?45°C，娃晶片先在一号槽和二号槽内分别喷淋550s，喷淋时，娃晶片两侧的喷头上下摆动，确保硅晶片上的胶体至硅晶片中部之间的部位都被喷到，然后将娃晶片放到三号槽和四号槽中分别超声处理90s，之后将娃晶片放入五号槽中浸泡450s?500s，该时间保证了胶体的软化，同时又避免了时间过长带来的硅晶片表面氧化问题，最后将硅晶片放入六号槽浸泡50s后取出。其中所述胶体含有如下质量比的组分，改性丙烯酸脂树脂25?30%，甲基丙烯酸羟乙酯35?50%，过氧化氢异丙苯I?5%，邻磺酰苯甲酰亚胺0.1?0.4%，N，N-二甲基苯胺0.1?0.2%，硅微粉30?40 %。利用乳酸软化上述胶体效果十分明显，能保证胶体一起脱落。
【主权项】
1.硅晶片脱胶工艺，其特征在于:车间温度25±3°C，湿度30?60%，采用如下脱胶机，该脱胶机包括一号槽、二号槽、三号槽、四号槽、五号槽和六号槽，一号槽和二号槽的水温是25?30°C，三号槽和四号槽的水温是30°C，五号槽里的是乳酸溶液且温度为65?70°C，乳酸与水的质量比是I: 1.5，六号槽的水温40?45°C，娃晶片先在一号槽和二号槽内分别喷淋550s，喷淋时，硅晶片两侧的喷头上下摆动，确保硅晶片上的胶体至硅晶片中部之间的部位都被喷到，然后将硅晶片放到三号槽和四号槽中分别超声处理90s，之后将硅晶片放入五号槽中浸泡450s?500s，最后将娃晶片放入六号槽浸泡50s后取出，其中所述胶体含有如下质量比的组分，改性丙烯酸脂树脂25?30%，甲基丙烯酸羟乙酯35?50%，过氧化氢异丙苯I?5%，邻磺酰苯甲酰亚胺0.1?0.4 %，N，N-二甲基苯胺0.1?0.2 %，硅微粉30?40 %。
【文档编号】B08B3/10GK105855213SQ201610200158
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】白青松, 张力峰, 田利中, 邹文龙, 梁会宁
【申请人】苏州晶樱光电科技有限公司