硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种硅晶片的评价方法，其包括：第一判定，利用光散射式表面检查装置检查作为评价对象的硅晶片的表面，判定是否存在异常对象；以及第二判定，利用原子力显微镜观察在作为评价对象的硅晶片的表面中在第一判定中未确认到异常对象存在的区域，判定是否存在异常对象。

技术研发人员：森敬一朗
受保护的技术使用者：胜高股份有限公司
技术研发日：2017.06.14
技术公布日：2019.04.26