技术编号:17550164
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料与技术领域,具体涉及一种微米级氧化钴立方体的制备方法。背景技术氧化钴具有可逆的氧化还原反应过程、大的比表面积、高的电导率、长的循环寿命和稳定性能,因而被用于电极材料,催化剂,气体传感器等技术领域。金属钴氧化物的微观结构,如晶粒尺寸、分布范围以及晶体形貌是影响和决定其性能的关键因素。因此,探索适当的反应和方法制备不同形貌和尺寸的钴氧化物并研究其性能及生长机理具有重要意义。近些年人们通过不同方法制备出各种形貌和微观结构的金属复合物,包括纳米微球,纳米片,纳米线,纳米棒,纳米管,纳米薄膜...
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