技术编号:17574639
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路制造技术领域,尤其涉及一种浅沟槽隔离结构和半导体器件。背景技术随着半导体元件特征尺寸的不断缩小,元件之间的隔离区域随之也要进行相应的缩小且变得相当重要,以防止相邻的元件发生短路的现象。浅沟槽隔离 (Shallow Trench Isolation,STI)技术已成为目前的半导体器件制造中的主流隔离技术,请参考图1,STI技术具体是以氮化硅(未图示)为保护层,通过光刻与蚀刻在半导体衬底100中刻出浅沟槽,再填入氧化硅(例如是高浓度等离子体二氧化硅HDP oxide)102作为...
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