技术编号：17578588
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请总地涉及为包括finFET的CMOS结构提供源极和漏极掺杂的方法以及如此形成的半导体器件。背景技术CMOS器件的趋势是朝向减小的尺寸。但是，在尺寸上等比例缩小通常降低器件性能。例如，当平面CMOS器件等比例缩小到32/20nm节点时，该平面CMOS器件性能下降。因此，已经开发了鳍场效应晶体管(finFET)。与22/14nm节点处的平面CMOS器件相比，finFET可以具有更好的静电或短沟道效应(SCE)控制。因此，finFET器件以更小的尺度正在替代平面CMOS器件。已经改进平面CMOS...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。