技术编号：17585986
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于纳米材料技术领域，具体涉及一种具有核壳结构的纳米晶及其制备方法。背景技术作为一种三维尺寸都在1～20nm之间的半导体材料，纳米晶具有发射波长随尺寸调节，半峰宽窄等优点。由于这些优异的性能，纳米晶在照明、显示等领域具有重要的应用前景。纳米晶的表面缺陷增加了非辐射跃迁的几率，对其本身的发光效率及稳定性造成不良影响。为解决纳米晶的发光效率低及稳定性差的问题，一般在纳米晶核外包覆壳层，以增强其发光效率。然而，现有技术中，由于壳层与纳米晶核、以及壳层内各层之间存在的晶格不匹配等问题，导致纳米晶的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。