技术编号:17597548
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种光子器件及其制造方法。背景技术硅基光子器件(Photonics device)中的侧边耦合器(sidewall coupler)用于连接外部电路。Si和SiO2具有不同的折射率,例如,Si的折射率n为3.5,SiO2的折射率n为1.45,Si线(也即芯层)被SiO2包围形成光波导。为了最小化由硅衬底诱导产生的谐波(harmonic),需要对埋层氧化物(BOX)下方的Si进行刻蚀。绝缘体上硅(SOI)晶圆上的CMOS工艺常用于制造器件。在硅基光子器件中的侧...
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