一种光子器件及其制造方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种光子器件及其制造方法。

背景技术：

硅基光子器件(photonicsdevice)中的侧边耦合器(sidewallcoupler)用于连接外部电路。si和sio2具有不同的折射率，例如，si的折射率n为3.5，sio2的折射率n为1.45，si线(也即芯层)被sio2包围形成光波导。为了最小化由硅衬底诱导产生的谐波(harmonic)，需要对埋层氧化物(box)下方的si进行刻蚀。

绝缘体上硅(soi)晶圆上的cmos工艺常用于制造器件。在硅基光子器件中的侧边耦合器的制备工艺中，soi衬底中的氧化物埋层用作覆盖层包围部分作为光波导的芯层的si线，干法刻蚀和湿法刻蚀总是被用于刻蚀埋层氧化物(box)下方的si，干法刻蚀用于形成露出部分衬底的深沟槽，然后湿法各向同性刻蚀si，然而上述工艺过程存在以下问题或缺点：1、没有方法能够在线检测埋层氧化物(box)下方的si残留，导致耦合效率降低；2、埋层氧化物表面的粗糙度差；3、空腔尺寸大，例如约10μm；4、沟槽通孔在封装前是敞开的，器件会变得脆弱，或者有水气或者污染物等进入空腔，影响器件的可靠性。

鉴于上述问题的存在，有必要提出一种新的光子器件及其制造方法。

技术实现要素：

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对目前存在的问题，本发明一方面提供一种光子器件的制造方法，包括：

提供处理晶圆，在所述处理晶圆中形成凹槽；

提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆的正面形成有第一覆盖层；

将所述顶部晶圆形成有所述第一覆盖层的表面与所述处理晶圆形成有所述凹槽的表面相接合，以密封所述凹槽形成空腔；

图案化所述顶部晶圆，以在所述空腔上方的所述第一覆盖层的部分表面形成芯层。

示例性地，在形成所述空腔之后，形成所述芯层之前，还包括对所述顶部晶圆进行减薄的步骤。

示例性地，对所述顶部晶圆进行减薄的方法包括以下步骤：

在形成所述第一覆盖层之后，所述接合之前，在所述顶部晶圆中形成离子注入层，所述离子注入层与所述顶部晶圆的背面具有间距；

在所述接合之后，形成所述芯层之前，从所述离子注入层处对所述顶部晶圆进行剥离，以实现对所述顶部晶圆的减薄。

示例性地，形成所述离子注入层的方法包括：对所述顶部晶圆进行氢注入，以形成所述离子注入层。

示例性地，形成所述凹槽的方法包括以下步骤：

在所述处理晶圆的表面形成衬垫层；

在所述衬垫层表面形成图案化的掩膜层，所述掩膜层定义有所述凹槽的图案；

以所述图案化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述衬垫层以及部分所述处理晶圆，以在所述处理晶圆中形成所述凹槽；

去除所述图案化的掩膜层。

示例性地，在形成所述芯层之后，还包括以下步骤：

形成第二覆盖层，以覆盖所述芯层和所述第一覆盖层露出的表面。

示例性地，在形成所述第二覆盖层之后，还包括以下步骤：

依次刻蚀所述芯层两侧的部分所述第二覆盖层和所述第一覆盖层，直到露出部分所述空腔，以形成沟槽。

示例性地，图案化所述顶部晶圆形成所述芯层的同时，还在所述空腔外侧的所述第一覆盖层表面上形成器件层。

示例性地，所述芯层的折射率大于所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的折射率。

本发明还提供一种采用前述的方法制备获得的光子器件。

本发明的光子器件的制造方法，其在将处理晶圆和顶部晶圆接合之前在处理晶圆中形成凹槽，再通过将处理晶圆和顶部晶圆接合密封所述凹槽形成空腔，可以避免在第一覆盖层下方出现硅残留的问题，进而可以避免产生光在硅残留中传输的可能，从而提高器件的耦合效率和可靠性，并且先形成用作空腔的凹槽可以精确控制空腔的尺寸，而由于无需再对第一覆盖层下方的部分处理晶圆进行刻蚀，因此空腔上方的第一覆盖层相比湿法刻蚀后的埋层氧化物具有更光滑的平面。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1a示出了一种光子器件中的侧边耦合器的平面示意图；

图1b示出了沿图1a中的剖面线aa’所获得的侧边耦合器的剖视图；

图2a至2d示出了本发明一个具体实施方式的制造方法依次实施所获得的光子器件的剖面示意图；

图3示出了本发明一个具体实施方式的光子器件的制造方法的流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细步骤以及结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

如图1a和图1b所示，在硅基光子器件中的侧边耦合器的制备工艺中，soi衬底中的氧化物埋层用作覆盖层包围部分作为光波导的芯层102的si线，为了最小化由硅衬底诱导产生的谐波，干法刻蚀和湿法刻蚀总是被用于刻蚀埋层氧化物101(box)下方的衬底100(例如硅衬底)，也即刻蚀去除与芯层102相对应的刻蚀埋层氧化物101(box)下方的衬底100，在钝化后，通常使用干法刻蚀在氧化物中形成露出衬底100表面的深沟槽103，在深沟槽103的外侧形成有支撑结构101a，然后通过深沟槽203引入湿法刻蚀剂，与露出的衬底100接触，湿法各向同性刻蚀衬底100，去除芯层102下方的部分硅衬底，从而形成空腔104，然而上述工艺过程存在以下问题或缺点：1、没有方法能够在线检测埋层氧化物(box)下方的si残留105，导致耦合效率降低；2、埋层氧化物表面的粗糙度差；3、空腔尺寸大，例如约10μm；4、沟槽通孔在封装前是敞开的，如图1a所示，器件会变得脆弱，或者有水气或者污染物等进入空腔，影响器件的可靠性。

因此，鉴于前述技术问题的存在，本发明提出一种光子器件的制造方法，如图3所示，其主要包括以下步骤：

步骤s1，提供处理晶圆，在所述处理晶圆中形成凹槽；

步骤s2，提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆的正面形成有第一覆盖层；

步骤s3，将所述顶部晶圆形成有所述第一覆盖层的表面与所述处理晶圆形成有所述凹槽的表面相接合，以密封所述凹槽形成空腔；

步骤s4，图案化所述顶部晶圆，以在所述空腔上方的所述第一覆盖层的部分表面形成芯层。

本发明的光子器件的制造方法，其在将处理晶圆和顶部晶圆接合之前在处理晶圆中形成凹槽，再通过将处理晶圆和顶部晶圆接合密封所述凹槽形成空腔，可以避免在第一覆盖层下方出现硅残留的问题，进而可以避免产生光在硅残留中传输的可能，从而提高器件的耦合效率和可靠性，并且先形成用作空腔的凹槽可以精确控制空腔的尺寸，而由于无需再对第一覆盖层下方的部分处理晶圆进行刻蚀，因此空腔上方的第一覆盖层相比湿法刻蚀后的埋层氧化物具有更光滑的平面。

下面，参考图2a至2d对本发明的光子器件的制造方法做详细描述，其中，图2a至2d示出了本发明一个具体实施方式的制造方法依次实施所获得的光子器件的剖面示意图。

示例性地，本发明的光子器件的制造方法，主要针对光子器件中的侧边耦合器的制备过程，其包括以下步骤：

首先，执行步骤一，如图2a所示，提供处理晶圆(handlewafer)200，在所述处理晶圆中形成凹槽202a。

处理晶圆200可以是本领域技术人员熟知的任何适合的半导体衬底，例如，可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(soi)、绝缘体上层叠硅(ssoi)、绝缘体上层叠锗化硅(s-sigeoi)、绝缘体上锗化硅(sigeoi)以及绝缘体上锗(geoi)等。

在一个示例中，在所述处理晶圆中形成凹槽202a的方法包括以下步骤：

首先，如图2a所示，在所述处理晶圆的表面形成衬垫层201。

所述衬垫层201起到保护处理晶圆的表面免受污染等作用，防止后续形成掩膜层(例如光刻胶)扩散进入晶圆表面，对晶圆造成污染，其中，所述衬垫层201的材料可以是任意适合的材料，包括但限于氧化物，尤其是氧化硅等。

在一个示例中，所述衬垫层201的厚度可以是任意适合的厚度，例如，所述衬垫层201的厚度范围可以是10nm～2μm。

可以使用本领域技术人员熟知的任何适合的方法形成所述衬垫层201，例如化学气相沉积方法，也可以采用本领域技术人员所习知的氧化工艺例如炉管氧化、快速热退火氧化(rto)、原位水蒸气氧化(issg)等形成氧化硅材质的衬垫层201。

接着，在所述衬垫层表面形成图案化的掩膜层(未示出)，所述掩膜层定义有预定形成的凹槽图案。

示例性地，掩模层通常可以包括数种掩模材料的任何一种，包括但不限于：硬掩模材料和光刻胶掩模材料。较佳地，掩模层包括光刻胶掩模材料。光刻胶掩模材料可以包括选自包括正性光刻胶材料、负性光刻胶材料和混合光刻胶材料的组中的光刻胶材料。通常，掩模层包括具有厚度从大约2000到大约5000埃的正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。

接着，以所述图案化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述衬垫层201以及部分所述处理晶圆200，以在所述处理晶圆200中形成所述凹槽202a。示例性地，所述凹槽202a的底部位于所述处理晶圆200中。

其中，可以使用干法刻蚀或者湿法刻蚀依次刻蚀所述衬垫层201以及部分所述处理晶圆200，较佳地，使用干法刻蚀，传统干法刻蚀工艺，例如反应离子刻蚀、离子束刻蚀、等离子刻蚀、激光烧蚀或者这些方法的任意组合。可以使用单一的刻蚀方法，或者也可以使用多于一个的刻蚀方法。

可选地，所述刻蚀的深度可以在1μm至100μm之间，例如10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm等。上述深度范围仅作为示例，对于其他适合的范围值也可以适用于本发明。

进一步地，该凹槽位置和尺寸与预定形成的空腔的位置和尺寸相同，也即该凹槽的开口被封盖后即可获得预定形成的空腔。

示例性地，在所述刻蚀形成凹槽之后，还包括对处理晶圆进行清洗的步骤，以清除杂质，举例来说，用例如sc-1溶液(氨溶液/过氧化氢溶液的混合液)和sc-2溶液(盐酸/过氧化氢溶液的混合液)进行清洗，以清除留在衬底表面上的外来物质，或者，使用稀释的氢氟酸溶液等进行清洗。

由于先通过对处理晶圆的刻蚀形成与空腔对应的凹槽，因此可以精确控制空腔的尺寸，可以使空腔具有很小的尺寸。

随后，在形成凹槽之后，去除所述图案化的掩膜层。具体地根据掩膜层的材质使用适合的方法去除所述掩膜层，例如使用灰化的方法去除光刻胶材质的掩膜层。

接着，执行步骤二，如图2b所示，提供顶部晶圆300，在所述顶部晶圆300的正面形成有第一覆盖层301。

所述顶部晶圆300的材料可以为任意适合的半导体材料，该半导体材料可以用作光波导的芯层，例如，所述顶部晶圆300为硅晶圆。

所述第一覆盖层301可以是本领域技术人员熟知的任何适用于对光波导的芯层进行包裹的材料，例如，所述第一覆盖层301可为氧化硅层，包括利用热化学气相沉积(thermalcvd)制造工艺或高密度等离子体(hdp)制造工艺形成的氧化硅的材料层，例如未经掺杂的硅玻璃(usg)、磷硅玻璃(psg)或硼磷硅玻璃(bpsg)。

值得一提的是，所述芯层用于光波导的光的通路。

可以使用例如化学气相沉积、物理气相沉积或者原子层沉积等方法形成所述第一覆盖层301。

在一个示例中，所述第一覆盖层301的厚度范围可以是0.3μm～5μm，也可以是其他适合的数值，具体根据实际工艺需要进行合理设定。

在一个示例中，随后，在顶部晶圆中形成离子注入层(未示出)，所述离子注入层与所述顶部晶圆的背面具有间距，所述离子注入层用于对顶部晶圆进行减薄，将离子注入层至顶部晶圆背面的部分从顶部晶圆上剥离去除。

示例性地，可以通过对所述顶部晶圆进行氢注入，以形成所述离子注入层。其中，所述氢注入的深度根据后续预定减薄后的顶部晶圆的目标厚度而设定。

其中，氢注入还可以与稀有气体注入同时进行，稀有气体可以包括he、ar等中的至少一种。

随后，执行步骤三，如图2b所示，将所述顶部晶圆300形成有所述第一覆盖层301的表面与所述处理晶圆200形成有所述凹槽202a的表面相接合，以密封所述凹槽形成空腔202。

示例性地，通过键合工艺，实现所述顶部晶圆300形成有所述第一覆盖层301的表面与所述处理晶圆200形成有所述凹槽202a的表面的接合。

所述键合工艺可以是本领域技术人员熟知的任何适合的键合工艺，例如熔融键合等。

接合后，所述凹槽的开口被所述第一覆盖层301密封，形成所述空腔202。

该第一覆盖层301起到类似于埋层氧化物的作用，在后续形成芯层时，对芯层起到包裹作用。

由于本发明无需对第一覆盖层下方的处理晶圆再进行湿法刻蚀，因此空腔上方的第一覆盖层相比湿法刻蚀后的埋层氧化物具有更平坦的平面。

随后，执行步骤四，如图2c所示，对所述顶部晶圆300进行减薄。

在一个示例中，在前述步骤中由于在顶部晶圆300的中形成了离子注入层，因此，从所述离子注入层处对所述顶部晶圆进行剥离，以实现对所述顶部晶圆的减薄。

示例性地，可以通过对顶部晶圆进行热处理，从而实现所述剥离，例如，在300℃～600℃的温度下进行热处理，处理时间可以是例如10min至60min的时间，上述方法和数值仅作为示例，其他可以剥离所述顶部晶圆的适合的方法均可以适用于本发明。

其中，所述离子注入层将顶部晶圆分割为了两部分，一部分是从顶部晶圆的背面至离子注入层的部分，一部分是从离子注入层至顶部晶圆正面的部分，剥离后，顶部晶圆的背面至离子注入层的部分被剥离去除，而保留下了从离子注入层至顶部晶圆正面的部分，用于后续形成芯层等。

通过离子注入层在顶部晶圆中的深度而控制最后减薄后的顶部晶圆的厚度。

值得一提的是，除了上述示例中的离子注入层的方法为，该减薄可以使用本领域技术人员熟知的任何适合的方法，例如刻蚀工艺等。

示例性地，随后还可以进行清洗的步骤，以将顶部晶圆上残留的杂质去除，例如，残留在顶部晶圆背面的离子注入层等。

该清洗可以使用例如稀释的氢氟酸或者其他适合的清洗溶液进行。

随后，执行步骤五，如图2d所示，图案化所述顶部晶圆，以在所述空腔202上方的所述第一覆盖层的部分表面形成芯层3001。

示例性地，形成芯层3001的方法包括：在减薄后的顶部晶圆的背面形成图案化的掩膜层，该掩膜层定义有预定形成的芯层的图案，还可以定义有位于所述芯层外侧的器件层，所述掩膜层较佳地包括光刻胶层。然后，以图案化的掩膜层为掩膜，蚀刻所述顶部晶圆直到露出所述第一覆盖层的表面，以在所述空腔202上方形成芯层3001，并同时在所述芯层外侧的部分所述第一覆盖层的表面上形成器件层3002，最后去除所述图案化的掩膜层。

其中，所述芯层3001形成在于所述空腔202相对的第一覆盖层301的部分表面上，所述器件层3002形成在所述空腔外侧的部分第一覆盖层301的表面上。

示例性的，在所述顶部晶圆的材料为si时，形成的所述芯层也可以定义为si线(siline)。

所述芯层3001的俯视形状可以是条状的，其中，由于可以在处理晶圆200中形成任意尺寸的所述空腔202，如果证明性能优于由蚀刻埋层氧化物下方的衬底而形成的空腔，则能够使所述空腔202在大部分芯层3001的下方。

所述空腔的四周侧壁对第一覆盖层起到支撑作用，也即间接的对芯层起到支撑作用。

进一步地，所述器件层3002用于形成控制电路，所述控制电路用于对侧边耦合器进行控制，例如所述控制电路可以包括各种形成在器件层中的有源器件或者无源器件，例如形成在器件层中的二极管，在所述二极管上施加电压可以改变折射率、光的频率等，所述控制电路还包括形成在所述器件层3002上方的金属互连线302，为了简便，在此仅以一方框示出，所述金属互连线302与器件层中的器件电连接，其中金属互连线302可以包括铜互连结构或者其他互连结构，在此不做具体限定。

示例性地，随后，继续如图2d所示，形成第二覆盖层303，以覆盖所述芯层3001和所述第一覆盖层301露出的表面，同时还覆盖所述器件层3002。

所述第二覆盖层303可以是本领域技术人员熟知的任何适用于对芯层进行包裹的材料，例如，所述第二覆盖层303可为氧化硅层，包括利用热化学气相沉积(thermalcvd)制造工艺或高密度等离子体(hdp)制造工艺形成的氧化硅的材料层，例如未经掺杂的硅玻璃(usg)、磷硅玻璃(psg)或硼磷硅玻璃(bpsg)。

可选地，所述第二覆盖层303可以和所述第一覆盖层301具有相同的材料。

其中，所述第二覆盖层303的顶面高于所述芯层3001的顶面。所述芯层3001被所述第一覆盖层和所述第二覆盖层包裹，而形成光波导，芯层3001的折射率大于第一覆盖层和第二覆盖层的折射率。

所述光波导用作侧边耦合器的构成元件，其中，耦合器是指在不同的光波导之间能够将传输的光波的模式和光能进行耦合的器件，而侧边耦合器则指设置在器件侧边处的耦合器。

另外，本发明中可以在不形成沟槽的情况下，即可实现了空腔的形成，因此，可以避免由于沟槽在封装之前的形成而导致的器件污染等问题，提高器件的可靠性。

在一个示例中，如图2d所示，还可以选择性地依次蚀刻所述芯层两侧的部分所述第二覆盖层303和所述第一覆盖层301，直到露出部分所述空腔202，以形成沟槽304。

该沟槽304为深沟槽，可以使用例如干法刻蚀或者湿法刻蚀的方法形成所述沟槽304，较佳地使用干法刻蚀。

至此完成了对本发明的光子器件的制造方法的关键步骤的描述，对于完整的光子器件的制备还可以包括其他的步骤，在此不做一一赘述。

本发明的光子器件的制造方法，尤其是侧边耦合器的制造方法，其在将处理晶圆和顶部晶圆接合之前在处理晶圆中形成用于形成空腔的凹槽，可以无需在接合之后通过形成深沟槽而对埋层氧化物下方的硅衬底进行蚀刻，因此可以避免在埋层氧化物下方出现硅残留的问题(也即避免了在第一覆盖层下方出现硅残留)，进而可以避免产生光在硅残留中传输的可能，从而提高器件的耦合效率和可靠性，并且先形成空腔可以精确控制空腔的尺寸，空腔上方的第一覆盖层相比湿法刻蚀后的埋层氧化物具有更平坦的平面，还可以控制大部分的芯层形成在空腔的上方，进而可以进一步优化由硅衬底诱导的谐波，提高器件的性能。

作为示例，本发明还提供一种采用上述方法制备获得的光子器件，该光子器件包括侧边耦合器。

示例性地，如图2d所示，所述侧边耦合器包括：处理晶圆200，形成在处理晶圆上的空腔202，在所述处理晶圆的表面还形成有衬垫层201，所述空腔202贯穿所述衬垫层201至所述处理晶圆200中。

进一步地，在所述衬垫层201的表面接合有第一覆盖层301，在所述空腔202上方的所述第一覆盖层301的部分表面形成有芯层3001，可选地，所述芯层的俯视形状为条形。所述芯层和所述空腔沿相同的方向在所述处理晶圆上延伸。

进一步地，在所述第一覆盖层301的表面上以及所述芯层的表面上还覆盖有第二覆盖层303，进一步地，所述第二覆盖层303还覆盖所述芯层3001外侧的所述器件层3002。

进一步地，所述器件层3002用于形成控制电路，所述控制电路用于对侧边耦合器进行控制，例如所述控制电路可以包括各种形成在器件层中的有源器件或者无源器件，例如形成在器件层中的二极管，在所述二极管上施加电压可以改变折射率、光的频率等，所述控制电路还包括形成在所述器件层3002上方的金属互连线302，为了简便，在此仅以一方框示出，所述金属互连线302与器件层中的器件电连接，其中金属互连线302可以包括铜互连结构或者其他互连结构，在此不做具体限定。

示例性地，在所述芯层3001的两侧还形成有露出部分所述空腔202的沟槽304，其中，所述沟槽依次贯穿所述第二覆盖层和所述第一覆盖层。

由于本发明的光子器件使用前述的方法制备获得，因此具有和前述方法相同的优点，在此不作赘述。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。