技术特征：
技术总结
本发明提供一种光子器件及其制造方法，包括：提供处理晶圆，在所述处理晶圆中形成凹槽；提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆的正面形成有第一覆盖层；将所述顶部晶圆形成有所述第一覆盖层的表面与所述处理晶圆形成有所述凹槽的表面相接合，以密封所述凹槽形成空腔；图案化所述顶部晶圆，以在所述空腔上方的所述第一覆盖层的部分表面形成芯层。本发明的方法可以避免在第一覆盖层下方出现硅残留的问题，进而可以避免产生光在硅残留中传输的可能，从而提高器件的耦合效率和可靠性。
技术研发人员：朱继光;桂珞;高剑琴;高汉杰
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.10.30
技术公布日：2019.05.07