技术编号:17633396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抗辐照技术领域,尤其涉及SOI器件及其制作方法。背景技术当器件持续受到电离辐射时,器件的阈值电压发生漂移、跨导降低、亚阈值电流增大、低频噪声增大,甚至导致器件失效,这就是总剂量辐照效应。总剂量辐照效应主要由电离辐射在氧化层中以及氧化层或硅界面产生的电荷和缺陷引起。由于绝缘衬底上硅(SOI)CMOS电路实现了完全的介质隔离,并且PN结面积小,同时不存在体硅CMOS技术中寄生的场区MOS管和可控硅结构,因此,SOI CMOS电路辐射产生的光电流比体硅CMOS电路小近三个数量级,进而,SOI...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。