技术编号:17652196
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种磁性检测电路、磁阻式随机存取存储器及其操作方法。背景技术MRAM(磁阻式随机存取存储器)为一种能够存储数字信息的位元(”0”或”1”)的非易失性存储器。在MRAM中,数字数据并非如传统的RAM组件存储为电荷,而是通过电阻状态(高电阻或低电阻)将位元状态(”0”或”1”)存储在不需要持续的电力来保持其状态的磁性存储元件中。MRAM可为用于长期保存数据以及作为例如移动装置和一般消费电子系统的快速开/关应用的有效解决方案。相较于静态随机存取存储器(SRAM)以及快闪存储器,MRAM...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。