技术编号:17725732
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于LED荧光粉、稀磁半导体、纳米材料制备的技术领域,特别涉及了一种简单且快速的制备Mn2+掺杂AlN纳米线的新方法。背景技术第三主族元素金属氮化物(AlN、GaN等)一直备受人们关注,因其具有宽禁带、高熔点和高发光强度等特点,成为发光二极管和电致发光器件中的理想半导体材料。将过渡金属稀土元素与第三主族元素金属氮化物相掺杂后所得产物,在稀磁半导体、高效发光器件和短波长光器件上都有广泛的应用前景。此外,二价Mn2+离子的3d电子发生跃迁会使Mn2+掺杂AlN(AlN:Mn)展现出桔红色发光特...
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