技术编号:17735510
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于存储器技术领域,涉及一种用于动态存储器的位线预充电及均衡电路,以及采用该位线预充电及均衡电路的灵敏放大器。背景技术图1为现有DRAM中灵敏放大器的原理示意图,该灵敏放大器在PRE命令时,只有n管(即图1中的n1、n2、n3)预充及均衡位线至vbleq电压。由于门漏之间存在电容,即n1的CGD0和n2的CGD1,如图3所示,ACT操作时,EQL信号要由高变低以关掉位线预充电及均衡电路,此时由于CGD0和CGD1的电容耦合效应,使得BL和BL_N上的电压降低,这会导致在字线打开时,BL和B...
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