技术编号：17780669
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制备方法。背景技术在传统的LTPS-TFT(低温多晶硅薄膜晶体管)显示器的制作过程中，一般是在衬底基板上沉积缓冲层后，在缓冲层上沉积非晶硅层，接着利用ELA(Excimer Laser Anneal，准分子镭射退火)对非晶硅进行退火结晶形成多晶硅层。但是采用上述方法形成的多晶硅层的晶粒大小均一性较差，晶界较多，严重影响与阳极金属层电性连接的驱动薄膜晶体管的电性均一性，而驱动薄膜晶体管直接影响显示器件的发光特性，进行严重影响TFT阵列基板的性能...
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