技术编号:17798423
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体薄膜技术领域,更具体地,涉及一种硫化铟/石墨烯复合薄膜及其制备方法和应用。背景技术硫化铟(In2S3)是一种n型半导体,是典型的Ⅲ~Ⅵ族硫化物,具有较宽的禁带宽度。In2S3具有优良的性能如光学性能、光电子性能、声学性能、电子性能等。虽然硫化铟作为一种具有优越催化性和光电装换性能的半导体材料,但是由于其较差的导电性,硫化铟薄膜在光电催化方面的应用受到很大的限制。现有方法制备硫化铟复合薄膜材料的方法复杂,反应时间长,溶剂毒性大,这是是制备硫化铟复合薄膜的一个难点。发明内容为了解决上...
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