技术编号：17837519
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种SRAM型存储器高速灵敏放大器电路，属于存储器电路设计领域。背景技术读写速度是衡量SRAM型存储器性能的关键指标。由于SRAM型存储读操作耗时一般大于写操作的耗时，所以读速度成为关键。读操作时间指的是从地址信号输入到数据输出所需的时间，主要由地址信号输入IO、行列译码器、存储单元、灵敏放大器和输出IO单元的延时共同决定。要减小读取时间，通常有两种方案可选择：一是缩短从地址信号输入到字线开启的耗时，但由于行列译码器等电路的结构基本固化，所以想通过改进这些电路来减小延时，效果不明显；二...
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