技术编号：17848182
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造及测试领域，特别是指一种晶圆的测试方法。背景技术在半导体器件制造工艺中，测试是保证器件出厂品质的重要环节，通过测试，能将制造过程中产生的一些残次品，或者性能不合格产品挑选出来，或者是通过测试，获知器件的性能参数，能对产品进行等级的区分。在半导体芯片测试行业，在对晶圆级IGBT类分立器件测试中,由于IGBT类的器件是高压大功率器件，在产品的测试中因存在高压大电流项目的测试,有可能在测试过程中把芯片烧毁,故往往在晶圆级测试中分为两个步骤，如图1所示，包含CP1及CP2的两部分...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。