技术编号：17880993
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，且特别涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术阻变存储器（Resistive Random Access Memory，RRAM）是利用某些薄膜材料在外加电场的作用下的开关特性来实现数据存储，是一种新型非易失性存储器。具有擦写速度快、存储密度高、重复擦写次数多、多值储存等众多优点。阻变存储器具有简单的三层结构，即在两层金属之间夹着一层介质材料，通常由绝缘性或者半导体性质的材料构成。通过大量的研究调查表明，无机薄膜晶体管中的金属氧化物薄膜晶体管具有诸多优点：在低温下（可低至室...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。