技术编号:17890494
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及STT-MRAM存储器领域,具体而言,涉及一种STT-MRAM存储器。背景技术STT-MRAM存储器包括多个矩阵排列的存储单元,每个存储单元包括MTJ位元以及与MTJ位元电连接的开关器,一般的开关器为CMOS。目前,STT-MRAM存储器中,采用CMOS中的多晶硅栅互联布局的方式形成一条字线,通常多晶硅栅极较长(一千个位线的长度),造成较大的(RC delay),导致STT-MRAM存储器的存储速度较慢。为了缓解上述问题,现有技术中通常每隔一定数量的存储单元,都要将多晶硅栅极连接至金属...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。