技术编号：17934627
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及与适用于空间或者航空航天应用的VDMOS产品相关领域，特别涉及一种抗辐射功率MOSFET的工艺制备方法。背景技术目前电力电子设备中大量使用纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管(VDMOSFET)，功率MOSFET在开关速度、输入阻抗、频率特性和跨导线性等方面具备明显优势，广泛应用于各种电压和电流等级的高频开关电源或转换器之上，并且其具备的负温度系数和宽安全工作区等性能优势凸显。在空间功率电子系统领域，诸如通讯卫星、气象卫星、GPS（全球定位系统）以及地球观察卫星上，功率MOSFET因其高的...
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