技术编号:17945447
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电探测器、光电能量转换技术领域,尤其涉及等离激元增强的硅基光热电效应光电转换器及其制作方法。背景技术光电探测器是光电信息器件的重要组成部分。光电探测器的探测灵敏度、工作波长范围、探测速度、加工成本、器件尺寸和多功能探测(如偏振、波长和手性探测)是光电探测器最重要的几个性能指标。硅基光电探测器是当前使用最广泛的可见光探测器,原因是硅元素地球储量丰富以及硅的CMOS工艺成熟。但是硅的间接带隙特性(~1.12eV)限制了硅基光电探测器的吸光效率。而越来越小的硅光电探测器也要求在有限的硅材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。