技术编号:17973255
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种SRAM存储单元电路。背景技术静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)功耗是系统级芯片功耗的重要来源,而作为SRAM关键电路的存储单元的功耗对整个SRAM的功耗具有重要影响;另外,在传统的6管SRAM存储单元中,当存取管导通时存储节点与位线直接相连,位线上的噪声干扰会直接影响到存储节点中的存储数据,甚至会使存储数据发生改变而产生存储错误。由此可见,如何降低SRAM存储单元的功耗以及减小位线上的噪声干扰对存储节点中存...
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