技术编号：1798306
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种对同成分铌酸锂晶片进行锂离子的扩散处理，特别是涉及提高铌酸锂中锂离子的浓度的工艺，以使晶片成为高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片，属于光电功能材料背景技术提高铌酸锂中锂浓度的现有方法，主要有三种双坩埚技术、助熔剂方法以及气相传输平衡方法(VTE)。前两种方法都是直接生长近化学比铌酸锂晶体的方法，比较难实现生长过程中锂含量的严格控制，第三种方法通过对成品同成分铌酸锂晶片进行处理得到高锂浓度的晶体。但是，VTE要求的温度条件高，扩散时间长，而且要求容器...
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