技术编号:18005010
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2016年11月14日提交的美国专利申请No.15/351,221的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文并用于所有目的。背景技术先进集成电路的制造通常涉及半导体大批量制造中图案化小特征。多重图案化技术可以使得能够基于光刻技术(例如193nm浸没光刻)进行特征尺寸缩放(scaling)。自对准双重图案化是多重图案化技术的一个示例。发明内容本文提供了处理衬底的方法。一个方面涉及一种在衬底上进行多次图案化的方法,该方法包括:提供具有图案化的芯材料的衬底;将所述衬底暴露于交替暴露的含硅前体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。