用于高模数ALDSiO2间隔物的方法与流程

本申请要求于2016年11月14日提交的美国专利申请no.15/351,221的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文并用于所有目的。
背景技术：
：先进集成电路的制造通常涉及半导体大批量制造中图案化小特征。多重图案化技术可以使得能够基于光刻技术(例如193nm浸没光刻)进行特征尺寸缩放(scaling)。自对准双重图案化是多重图案化技术的一个示例。技术实现要素：本文提供了处理衬底的方法。一个方面涉及一种在衬底上进行多次图案化的方法，该方法包括：提供具有图案化的芯材料的衬底；将所述衬底暴露于交替暴露的含硅前体和氧化剂；以及当将所述衬底暴露于所述氧化剂时点燃等离子体，以在所述图案化的芯材料上形成具有至少55gpa的弹性模量的保形氧化硅间隔物材料。在一些实施方案中，所述保形氧化硅间隔物材料的弹性模量介于约55gpa和约70gpa之间。所述保形氧化硅间隔物材料可以在大于50℃且小于约80℃的衬底温度下沉积。在一些实施方案中，所述方法还包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅间隔物材料致密化。在一些实施方案中，所述保形氧化硅间隔物材料可以在大于50℃且小于约80℃的衬底温度下沉积，并且使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体，且所述方法还包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅间隔物材料致密化。所述保形氧化硅间隔物材料可以暴露于所述紫外线辐射持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间。可以使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体。可以使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体。在一些实施方案中，所述保形氧化硅间隔物材料在大于50℃且小于约80℃的衬底温度下沉积，并且使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体。在一些实施方案中，所述方法还包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅间隔物材料致密化。所述保形氧化硅间隔物材料可以暴露于所述紫外线辐射持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间。在多种实施方案中，所述方法还可以包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅间隔物材料致密化。所述保形氧化硅间隔物材料可以暴露于所述紫外线辐射持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间。在一些实施方案中，所述方法还可以包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅间隔物材料致密化，并且使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体。所述保形氧化硅间隔物材料可以暴露于所述紫外线辐射持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间。在多种实施方案中，所述图案化的芯材料包括间距小于约45nm的特征。在多种实施方案中，所述保形氧化硅间隔物材料用作用于自对准双图案化的掩模。在一些实施方案中，所述氧化剂选自氧气、二氧化碳、水、一氧化二氮及其组合中的任何一种。在一些实施方案中，所述含硅前体是氨基硅烷。所述芯材料可以是旋涂碳、类金刚石碳和填隙可灰化的硬掩模中的任何一种。在一些实施方案中，将所述衬底暴露于所述氧化剂包括使选自氩气、氢气、氮气和氦气中的惰性气体流动。另一个方面涉及一种在衬底上进行多次图案化的方法，该方法包括：提供具有图案化的芯材料的衬底；将所述衬底暴露于交替暴露的含硅前体和氧化剂；当将所述衬底暴露于所述氧化剂时点燃等离子体，以在所述图案化的芯材料上形成具有至少55gpa的弹性模量的保形氧化硅间隔物材料；选择性地蚀刻对于所述保形氧化硅间隔物材料有选择性的所述图案化的芯材料，以形成包括所述保形氧化硅间隔物材料的掩模；以及使用所述掩模蚀刻在所述衬底上的目标层。在一些实施方案中，所述保形氧化硅间隔物材料的弹性模量介于约55gpa和约70gpa之间。所述保形氧化硅间隔物材料可以在大于50℃且小于约80℃的衬底温度下沉积。在一些实施方案中，所述方法还包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅材料致密化。在一些实施方案中，所述保形氧化硅间隔物材料可以在大于50℃且小于约80℃的衬底温度下沉积，并且使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体，且所述方法还包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅材料致密化。所沉积的所述保形氧化硅材料可以暴露于所述紫外线辐射持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间。可以使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体。可以使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体。在一些实施方案中，所述保形氧化硅间隔物材料在大于50℃且小于约80℃的衬底温度下沉积，并且使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体。在一些实施方案中，所述方法还包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅材料致密化。所沉积的所述保形氧化硅材料可以暴露于所述紫外线辐射持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间。在多种实施方案中，所述方法还可以包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅间隔物材料致密化。所沉积的所述保形氧化硅材料可以暴露于所述紫外线辐射持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间。在一些实施方案中，所述方法还可以包括将所述保形氧化硅间隔物材料暴露于紫外线辐射以使所述保形氧化硅间隔物材料致密化，并且使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量点燃所述等离子体。所沉积的所述保形氧化硅材料可以暴露于所述紫外线辐射持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间。在多种实施方案中，所述图案化的芯材料包括间距小于约45nm的特征。在多种实施方案中，所述保形氧化硅间隔物材料用作用于自对准双图案化的掩模。在一些实施方案中，所述氧化剂选自氧气、二氧化碳、水、一氧化二氮及其组合中的任何一种。在一些实施方案中，所述含硅前体是氨基硅烷。所述芯材料可以是旋涂碳、类金刚石碳和填隙可灰化的硬掩模中的任何一种。在一些实施方案中，将所述衬底暴露于所述氧化剂包括使选自氩气、氢气、氮气和氦气中的惰性气体流动。另一个方面涉及一种用于图案化衬底的装置，所述装置包括：一个或多个处理室；通向所述一个或多个处理室和相关的流量控制硬件内的一个或多个进气口；低频射频(lfrf)发生器；高频射频(hfrf)发生器；和控制器，其具有至少一个处理器和存储器，由此，所述至少一个处理器和所述存储器彼此通信连接，所述至少一个处理器至少与所述流量控制硬件、所述lfrf发生器和所述hfrf发生器能操作地连接，并且所述存储器存储计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于控制所述至少一个处理器，以至少控制所述流量控制硬件、所述hfrf发生器和所述lfrf发生器以：将衬底提供至所述一个或多个处理室，所述衬底具有图案化的芯材料；将含硅前体和氧化剂的交替流经由所述一个或多个气体入口引入所述一个或多个处理室中；以及当引入所述氧化剂时产生等离子体，以在所述图案化的芯材料上形成具有至少55gpa的弹性模量的保形氧化硅间隔物材料。在一些实施方案中，所述计算机可执行指令还包括相对于所述保形间隔物材料选择性蚀刻所述图案化芯材料以形成包括所述保形氧化硅间隔物材料的掩模并且使用所述掩模蚀刻在所述衬底上的目标层的指令。在一些实施方案中，所述保形氧化硅间隔物材料的弹性模量介于约55gpa和约70gpa之间。在一些实施方案中，所述一个或多个处理室包括用于保持所述衬底的加热的基座，并且所述计算机可执行指令包括用于将基座温度设定为大于50℃且小于约80℃的指令。所述等离子体可以被设定为使用至少约1000焦耳的射频等离子体能量来点燃等离子体。在一些实施方案中，所述装置还包括紫外线辐射发生器，所述紫外线辐射发生器用于将所述衬底暴露于紫外线辐射，以使所述保形氧化硅间隔物材料致密化。在一些实施方案中，所述计算机可执行指令包括用于使其上具有所述保形氧化硅间隔物材料的所述衬底暴露于紫外线辐射持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间的指令。以下参考附图进一步描述这些和其他方面。附图说明图1a-1c是示出间距行走(pitchwalking)现象的衬底横截面的示意图。图2a-2c分别是图1a-1c的衬底的顶视图的示意图。图3是描绘根据某些公开的实施方案的方法的操作的工艺流程图。图4是用于执行某些公开的实施方案的示例性处理室的示意图。图5是用于执行某些公开的实施方案的示例性处理工具的示意图。图6是用于执行某些公开的实施方案的示例处理室的示意图。图7是用于执行某些公开的实施方案的示例性处理工具的示意图。图8是用于执行某些公开的实施方案的示例性处理室的示意图。图9-11是示出从执行某些公开的实施方案收集的实验数据的图表。具体实施方式在以下描述中，阐述了许多具体细节以提供对提出的实施方式的透彻理解。所公开的实施方式可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践。在其他情况下，公知的处理操作没有被详细描述，以免不必要地使所公开的实施方式模糊不清。虽然所公开的实施方式将结合具体实施方式进行描述，但应该理解的是，这不意图限制所公开的实施方式。在许多半导体制造工艺中使用图案化方法。特别是，多重图案化已经被用于将光刻技术扩展到超出其光学极限。双重图案化和四重图案化是一种用于将光刻技术扩展到超出其光学极限的示例性技术，并且双重图案化现在在工业中广泛用于小于约80nm的间距。目前的双重图案化技术通常使用侧壁间隔物以两个掩模化步骤(maskingsteps)来图案化沟槽。在正负双重图案化过程中双重图案化(特别是线图案化)的方法涉及使用间隔物和掩模。通过等离子体增强的原子层沉积(peald)在图案化的芯上沉积间隔物，并且可以用来产生更小的间距图案。随着器件收缩，以及间距减小，出现间隔物倾斜、线弯曲和图案化的间隔物塌陷等问题，从而可能导致器件失效。特别地，当芯层被烘烤并被去除时，由于间隔物倾斜而观察到间距行走。图1a至1c是经历图案化操作而导致间距行走的衬底的示例性示意图。图2a至2c分别是图1a至1c中的相应衬底的顶视图。图1a示出了叠层100，叠层100具有带有目标层104的衬底102、掩模层106、图案化间隔物125、间隙填充材料108、层110和显影的光致抗蚀剂112。在图1b中，间隙填充材料108、层110和光致抗蚀剂112被剥离，从而在掩模层106、目标层104和衬底102上留下图案化的间隔物125。在图1c中，图案被转移到掩模层106，并且去除图案化的间隔物125。与图1b中的图案化间隔物125相比，因为在整个衬底上在柱之间的距离变化，图案化掩模层106中的柱之间的间隔是不一致的。这部分是因为图案化间隔物125不能承受用于去除间隙填充材料的苛刻的蚀刻条件，并且随后，当引入蚀刻剂以将图案从间隔物125转移到掩模106时，蚀刻物质以一定角度被引导到衬底处，使得掩模层上的蚀刻稍微偏离图案化间隔物的位置。图2a示出了图1a中所示的叠层100上方的俯视图。图2a示出了层110的暴露区域中的光致抗蚀剂112，由此x'表示图1a中所示的横截面。在图2b中，顶视图示出了掩模层106上方的图案化间隔物125，并且y'表示图1b中描绘的横截面。在图2c中，在图案转移到掩模层106之后，图案化掩模106在目标层104上方。顶视图示出图案化掩模106位于图案化间隔物125先前所在位置的略微左侧处。目前的方法不足以形成能够在多个后续处理步骤中承受机械变形的间隔物，所述多个后续处理步骤用于去除间隔物之间的芯材料和/或间隙填充材料。虽然替代材料可以用于间隔物，但是用于氧化硅材料的原子层沉积工艺由于廉价的前体而提供了具有高产量的低成本选择，并且原子层沉积工艺使用快速循环时间。此外，用于沉积氧化硅的反应器易于清洁。然而，用于沉积氧化硅的现有方法导致间距小于45nm的间距行走。本文提供了使用等离子体增强原子层沉积(peald)形成具有高弹性模量的间隔物材料从而形成能够经受后续处理操作的更硬的间隔物结构的方法和装置。方法涉及在较高温度下沉积间隔物材料，在peald的转化操作期间使用较高的等离子体能量，通过暴露于紫外线辐射后处理沉积的间隔物材料，以及它们的组合。间隔物材料当根据某些公开的实施方案沉积和/或处理时，具有至少约55gpa或介于约55gpa和约70gpa之间的弹性模量。弹性模量可以通过使用纳米压痕测试并测量作为负荷的函数的纳米压痕仪在膜中的位移来测量。在多种实施方案中，如本文所述的模量在材料压痕的30nm深度处测量。本文使用氧化硅作为根据某些公开的实施方案沉积的间隔物材料的示例。图3是描绘根据某些公开的实施方案执行的方法的操作的过程流程图。在操作301中，提供具有图案化的芯材料和目标层的衬底。图案化的芯材料可以是光致抗蚀剂或可以由非晶碳材料或非晶硅材料制成。在一些实施方案中，芯材料是旋涂碳、类金刚石碳或填隙可灰化的硬掩模。在一些实施方案中，芯材料可以是透明的。芯材料通过诸如等离子体增强化学气相沉积(pecvd)之类的沉积技术来沉积，并且沉积技术可以涉及从包括烃前体的沉积气体在容纳衬底的沉积室中产生等离子体。烃前体可由式cahb定义，其中a为2至10之间的整数，b为2至24之间的整数。实例包括甲烷(ch4)、乙炔(c2h2)、乙烯(c2h4)、丙烯(c3h6)、丁烷(c4h10)、环己烷(c6h12)、苯(c6h6)和甲苯(c7h8)。可以使用包括高频(hf)功率和低频(lf)功率的双射频(rf)等离子体源。芯材料在被图案化之前被沉积在目标层上。目标层可以是最终被图案化的层。例如，目标层可以是半导体、电介质或其他层，并且可以由硅(si)、氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)或氮化钛(tin)制成。目标层可以通过原子层沉积(ald)、等离子体增强ald(peald)、化学气相沉积(cvd)或其他合适的沉积技术沉积。在操作303中，将衬底暴露于间隔物材料前体以将前体吸附到衬底表面上。操作303-309可以构成ald循环。ald是一种利用顺序自限性反应沉积薄层材料的技术。ald工艺使用表面介导的沉积反应来循环地逐层沉积膜。作为示例，ald循环可以包括以下操作：(i)前体的输送/吸附，(ii)从室清除前体，(iii)输送第二反应物和可选地将等离子体点燃，和(iv)清除室中的副产物。在第二反应物和吸附的前体之间的用于在衬底表面上形成膜的反应影响膜组成和性能，例如不均匀性、应力、湿法蚀刻速率、干法蚀刻速率、电性质(例如，击穿电压和泄漏电流)等。在ald工艺的一个示例中，将包括多个表面活性位点的衬底表面暴露于以一定剂量提供给容纳衬底的室的第一前体(例如含硅前体)的气相分布。该第一前体的分子被吸附到衬底表面上，包括第一前体的化学吸附物质和/或物理吸附分子。应该理解的是，当如本文所述将化合物吸附到衬底表面上时，吸附层可以包括化合物以及化合物的衍生物。例如，含硅前体的吸附层可以包括含硅前体以及含硅前体的衍生物。在第一前体投配之后，将室抽空以除去大部分或全部保持在气相的第一前体，使得大部分或仅吸附物质保留。在一些实施方案中，室可不被完全抽空。例如，反应器可以被抽空，使得气相的第一前体的分压足够低以使反应缓和。将第二反应物如含氧气体引入反应室，以使这些分子中的一些与吸附在表面上的第一前体反应。在一些方法中，第二反应物立即与吸附的第一前体反应。在其他实施方案中，第二反应物仅在临时施加诸如等离子体之类的激活源之后才起反应。然后可以将室再次抽空以去除未结合的第二反应物分子。如上所述，在一些实施方案中，室可不被完全抽空。额外的ald循环可以用于建立膜厚度。在一些实施方案中，ald方法包括等离子体激活。如本文所述，本文所述的ald方法和装置可以是保形膜沉积(cfd)方法，其在2011年4月11日提交的名称为“plasmaactivatedconformalfilmdeposition”的美国专利申请号no.13/084,399(现为美国专利号8,728,956)中被一般地描述，该专利文件的全部内容通过引用并入本文。在较高的衬底温度和/或使用较高的等离子体能量下执行操作303-311。如本文所述的衬底温度和沉积温度应被理解为在沉积期间保持衬底的基座所设定的温度。多种实施方案中的沉积温度大于约50℃，但不大于约150℃；或大于约50℃，但不大于约80℃。例如，在一些实施方案中，沉积温度为介于约50℃和约80℃之间，或约80℃。沉积温度还可取决于衬底上的其他材料。例如，如果衬底包括光致抗蚀剂，则温度可以在约50℃和约80℃之间。如果衬底包括硬掩模，则沉积温度可高达约150℃。通过减少间隔物材料中的杂质并除去悬空键，调节沉积温度以使得热力学上更有利的反应能形成间隔物材料。使用高等离子体能量的沉积在下面相对于操作307进一步详细描述。在操作303期间，间隔物材料前体可吸附到至少约80％的表面活性位点。在一些实施方式中，间隔物材料前体可以吸附到衬底上以使衬底的表面完全饱和，使得间隔物材料前体吸附在芯材料的暴露表面和靶层的暴露区域上。将衬底暴露于间隔物材料前体的持续时间可以在约0.1秒至约2秒之间。在许多实施方案中，操作302中使用的间隔物材料前体是含硅的前体。适合根据所公开的实施方案使用的含硅前体包括其中n≥0的聚硅烷(h3si-(sih2)n-sih3)。硅烷的示例是硅烷(sih4)、乙硅烷(si2h6)和有机硅烷，该有机硅烷如甲基硅烷、乙基硅烷、异丙基硅烷、叔丁基硅烷、二甲基硅烷、二乙基硅烷、二叔丁基硅烷、烯丙基硅烷、仲丁基硅烷、叔己基硅烷、异戊基硅烷、叔丁基二硅烷、二叔丁基二硅烷等。卤代硅烷包括至少一个卤素基团并且可以包括或不包括氢和/或碳基团。卤代硅烷的示例是碘代硅烷、溴代硅烷、氯代硅烷和氟代硅烷。尽管卤代硅烷特别是氟代硅烷可以在等离子体被激励时形成可以蚀刻硅材料的反应性卤化物物质，但是在一些实施方案中，当等离子体被激励时，不能将卤代硅烷引入室中，因此可能会缓和从卤代硅烷形成活性卤化物物质。特定的氯硅烷为四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷、氯烯丙基硅烷、氯甲基硅烷、二氯甲基硅烷、氯二甲基硅烷、氯乙基硅烷、叔丁基氯硅烷(t-butylchlorosilane)、二叔丁基氯硅烷、氯异丙基硅烷、氯代仲丁基硅烷、叔丁基二甲基氯代硅烷、叔己基二甲基氯代硅烷等等。氨基硅烷包括键合到硅原子上的至少一个氮原子，但也可以包含氢、氧、卤素和碳。氨基硅烷的示例是单氨基硅烷、二氨基硅烷、三氨基硅烷和四氨基硅烷(分别是h3si(nh2)、h2si(nh2)2、hsi(nh2)3和si(nh2)4))以及经取代的单氨基硅烷、二氨基硅烷、三氨基硅烷和四氨基硅烷，例如，叔丁基氨基硅烷、甲基氨基硅烷、叔丁基硅烷胺、双(叔丁基氨基)硅烷(sih2(nhc(ch3)3)2(btbas)、叔丁基甲硅烷基氨基甲酸酯、sih(ch3)-(n(ch3)2)2、sihcl-(n(ch3)2)2、(si(ch3)2nh)3等等。氨基硅烷的另一个示例是三硅烷基胺(n(sih3))。在操作305中，容纳衬底的处理室可被清扫以去除未被吸附到衬底表面上的前体。清扫室可以涉及使清扫气体或吹扫气体流动，清扫气体或吹扫气体可以是在其他操作中使用的载气，或者可以是不同的气体。清扫气体的示例包括氩气、氮气、氢气和氦气。在多种实施方案中，清扫气体是惰性气体。示例的惰性气体包括氩气、氮气和氦气。在一些实施方案中，清扫可涉及抽空室。在一些实施方案中，操作305可以包括用于抽空处理室的一个或多个抽空子阶段。替代地，应理解，在一些实施方案中操作305可以被省略。操作305可以具有任何合适的持续时间，例如在约0.1秒和约2秒之间。在操作307中，将衬底暴露于氧化剂并在一定条件下点燃等离子体以将吸附的前体转化为高模量保形间隔物材料。例如，在多种实施方案中，在衬底上形成保形氧化硅间隔物材料。在沉积氧化硅间隔物的情况下，吸附在衬底表面上的含硅前体与氧化等离子体反应以形成氧化硅。示例性的氧化剂包括氧气、水、二氧化碳、一氧化二氮及其组合。在多种实施方案中，当等离子体被点燃时，衬底同时暴露于氧化剂和惰性气体。例如，在一个实施方案中，当等离子体被点燃时，氧和氩的混合物被引入到衬底。提供等离子体能量以将第二反应物(例如含氧气体或氧化剂)激活成离子和自由基以及与第一前体的吸附层反应的其它活化物质。例如，等离子体可以直接或间接地激活含氧气相分子以形成氧自由基或离子。在多种实施方案中使用高等离子体能量。注意，在一些实施方案中，高等离子体能量可与高沉积温度组合使用。在一些实施方案中，可以使用高沉积温度，同时可以使用常规等离子体能量(例如较低的功率能量)。在一些实施方案中，在不使用高沉积温度的情况下使用高等离子体能量(例如，在将含硅前体转化为氧化硅间隔物材料中，沉积温度可以是约50℃，同时使用高等离子体能量)。然而，应当理解，高等离子体能量和高沉积温度的组合具有协同效应，以形成非常高模量的间隔物材料。等离子体能量由射频等离子体开启的持续时间(rf时间)和射频等离子体功率(rf功率)确定。适合于沉积根据某些公开的实施方案的高模量间隔物材料的高等离子体能量取决于上面沉积间隔物材料的下伏材料。在一些示例中，等离子体能量可以是至少约1000j。高等离子体能量与形成高密度膜相关，并且与升高温度的影响相比，可能对致密化和增加间隔物材料的模量具有更大的影响。与可能导致在间隔物材料中形成空隙的低等离子体能量沉积工艺相反，使用高等离子体能量(例如在至少约1000j的等离子体能量下)沉积的间隔物材料具有在膜中30nm位移处测得的至少60gpa或至少65gpa的模量。在操作309中，处理室被清扫以除去来自氧化剂中的间隔物材料前体之间的反应的任何过量的副产物，并且除去在衬底表面不与间隔物材料前体反应的过量氧化剂。操作309的工艺条件可以是上述关于操作305描述的那些工艺条件中的任何工艺条件。在一些实施方式中，使用以介于约5slm至约30slm之间的流速流动的惰性气体来清扫室。在操作309之后，确定间隔物材料是否沉积到足够的厚度。如果不是，则操作303-309可以可选地重复两次或更多次。如果间隔物材料沉积厚度足够，则可以任选地执行操作311。在操作311中，任选地对衬底进行后处理以进一步增加间隔物材料的模量。在多种实施方案中，通过将衬底暴露于紫外(uv)辐射来对衬底进行后处理。紫外线辐射用于愈合间隔物材料上的悬空键并触发间隔物材料中的原子之间的键合。例如，对于氧化硅材料，uv辐射用于触发硅和氧原子之间的键合。应当理解，虽然可以调节uv辐射以改善模量，但是uv辐射对增加间隔物材料的模量的影响小于在沉积期间增加等离子体能量的影响。在一些实施方案中，uv辐射暴露在介于约25℃和约480℃之间(例如约400℃)的温度下，在压强介于约0托和约100托之间(例如约15托)的室压下进行，持续介于约5分钟和约30分钟之间的持续时间，例如持续约10分钟。uv辐射可以通过200nm至400nm的he/hg发射产生，其具有约200至250nm的宽带，以及从250nm至360nm的多个尖锐发射峰。应当理解，虽然增加间隔物材料中的键数可以增加膜的模量，但是提高温度和/或增加等离子体能量是否会导致有效的处理是出乎意料的。例如，出乎意料的是，调节温度和/或等离子体能量是否会导致提供模量的强响应，因为过高的温度、等离子体能量或uv处理可能引起键断裂并降低膜的机械性能。参考图3，在操作313中，回蚀衬底并选择性地蚀刻芯材料以形成作为掩模的间隔物材料。由于使用操作303-309沉积并且在操作311中进行后处理的间隔物材料具有高模量，因此在操作313中执行的蚀刻操作不会导致间距行走并且间隔物材料由于高质量的掩模而可以承受蚀刻工艺。在操作315中，使用间隔物材料作为掩模来蚀刻目标层。如上所述，由于间隔物材料具有高模量，因此几乎没有间距行走。本领域普通技术人员应理解，尽管本文描述的示例涉及使用高模量间隔物作为掩模来蚀刻目标层，但是在一些情况下，目标层可以是使用高模量间隔物图案化的掩模层，使得图案化的掩模层可用于蚀刻另一个底层。在一个示例中，可以通过在高达80℃的高温下重复一个或多个沉积循环来沉积间隔物，其中沉积循环包括：将室中的衬底暴露于氨基硅烷以吸附氨基硅烷至衬底表面，清扫室，将衬底暴露于氧化剂并使用约1000j的高等离子体能量点燃等离子体，并清扫室；并且将沉积的间隔物暴露于uv辐射以增加间隔物的密度并增加模量。使用某些公开的实施方案对于氧化硅间隔物材料实现的弹性模量可以大于约55gpa，或大于约65gpa，例如可以为约70gpa。装置图4描绘了具有处理室402的原子层沉积(ald)处理站400的实施方案的示意图。处理室402可用于维持低压环境。多个ald处理站可被包括在共同的低压处理工具环境中。例如，图5描绘了多站处理工具500的一个实施方式。在一些实施方案中，ald处理站400的一个或多个硬件参数(包括在下面详细讨论的那些参数)可以由一个或多个计算机控制器450以编程方式进行调整。ald处理站400与反应物输送系统401a流体连通，以用于将工艺气体输送到分配喷头406。反应物输送系统401a包括用于混合和/或调节工艺气体(例如含硅气体或者含氧气体)以用于输送到喷头406的混合容器404。一个或多个混合容器入口阀420可控制工艺气体到混合容器404的引入。在多种实施方案中，在处理站400中执行高模量间隔物材料的沉积，并且在一些实施方案中，可以在多站处理工具500的相同或另一个站中执行图案化操作，如下面相对于图5进一步描述的那样。作为示例，图4的实施方案包括汽化点403，用于汽化待供应到混合容器404的液体反应物。在一些实施方案中，汽化点403可以是加热汽化器。由这种汽化器产生的饱和反应物蒸气可能在下游输送管道中冷凝。不相容的气体暴露于冷凝的反应物可能会产生小颗粒。这些小颗粒可能堵塞管路、妨碍阀门操作、污染衬底等等。解决这些问题的一些方法涉及清扫和/或排空输送管道以去除残余反应物。但是，清扫输送管道可能会增加处理站循环时间，降低处理站的生产量。因此，在一些实施方案中，汽化点403下游的输送管道可以被热追踪。在一些示例中，混合容器404也可以被热追踪。在一个非限制性示例中，汽化点403下游的管道在混合容器404处具有从大约100℃延伸到大约150℃的增加的温度分布。在一些实施方案中，液体前体或液体反应物可在液体注射器(未示出)处被汽化。例如，液体注射器可将液体反应物的脉冲注入到混合容器404上游的载气流中。在一实施方案中，液体注射器可通过使液体从较高压力闪蒸至较低压力而使反应物汽化。在另一示例中，液体注射器可以将液体雾化成分散的微滴，随后在加热的输送管中汽化。较小的液滴会比较大的液滴蒸发得快，从而减少了液体注入和完全汽化之间的延迟。更快的蒸发可以减少汽化点403下游的管道的长度。在一种情况下，液体注射器可以直接安装到混合容器404。在另一种情况下，液体注射器可以直接安装到喷头406。在一些实施方案中，可以提供汽化点403上游的液体流量控制器(lfc)，用于控制液体的质量流量以用于汽化和递送至处理室402。例如，lfc可以包括位于lfc下游的热质量流量计(mfm)。lfc的柱塞阀然后可以响应于与mfm电通信的比例-积分-微分(pid)控制器提供的反馈控制信号进行调节。但是，使用反馈控制可能需要一秒或更长时间来稳定液体流量。这可能会延长液体反应物的投配时间。因此，在一些实施方案中，lfc可以在反馈控制模式和直接控制模式之间动态地切换。在一些实施方案中，这可以通过禁用lfc的感测管和pid控制器来执行。喷头406将工艺气体分配到衬底412。在图4所示的实施方案中，衬底412位于喷头406下方并且示出为搁置在基座408上。喷头406可以具有任何合适的形状，并且可以具有任何合适的用于将工艺气体分配到衬底412的端口的数量和布置。在一些实施方案中，可以升高或降低基座408以将衬底412暴露于衬底412和喷头406之间的体积。在一些实施方案中，基座408可以通过加热器410进行温度控制。基座408可以设置为在执行各种公开的实施方案的操作期间的任何合适的温度，诸如在约25℃和约650℃之间。为了沉积高模量间隔物，基座408可以设定为大于50℃且小于约80℃的温度。应意识到，在一些实施方案中，基座高度可以由合适的计算机控制器450以编程方式进行调整。在另一种情况下，调节基座408的高度可以允许在某些公开的实施方案中执行的等离子体激活周期期间改变等离子体密度。在处理阶段结束时，基座408可在另一衬底传送阶段期间降低以允许从基座408移除衬底412。在一些实施方案中，喷头406的位置可以相对于基座408进行调节，以改变衬底412和喷头406之间的体积。此外，应理解的是，基座408和/或喷头406的垂直位置可以通过本公开范围内的任何合适的机制来改变。在一些实施方案中，基座408可以包括用于旋转衬底412的方位的旋转轴线。应理解的是，在一些实施方案中，这些示例性调整中的一个或多个可以由一个或多个合适的计算机控制器450以编程方式执行。计算机控制器450可以包括下面关于图5的控制器550描述的特征中的任一个。在可以如上所述使用等离子体的一些实施方案中，喷头406和基座408与射频(rf)电源414和匹配网络416电连接，以为等离子体供电。在一些实施方案中，可以通过控制处理站压力、气体浓度、rf源功率、rf源频率和等离子体功率脉冲定时中的一个或多个来控制等离子体能量。例如，rf电源414和匹配网络416可以以任何合适的功率运行以形成具有期望组成的自由基物质的等离子体。根据某些公开的实施方案产生的用于沉积高模量间隔物的等离子体能量可以被控制为至少约1000j。类似地，rf电源414可以提供任何合适频率的rf功率。在一些实施方案中，rf电源414可以被配置为独立于彼此地控制高频和低频rf电源。示例性的低频rf频率可以包括但不限于0khz和500khz之间的频率。高频rf频率的示例可以包括但不限于1.8mhz与2.45ghz之间的频率，或者大于约13.56mhz，或者大于27mhz，或者大于40mhz，或者大于60mhz。应该理解的是，可以离散地或连续地调制任何合适的参数以为表面反应提供等离子体能量。在一些实施方案中，等离子体可以由一个或多个等离子体监控器原位监测。在一种情况下，等离子体功率可以由一个或多个电压传感器、电流传感器(例如，vi探头)来监测。在另一种情况下，可以通过一个或多个光发射光谱传感器(oes)来测量等离子体密度和/或工艺气体浓度。在一些实施方案中，一个或多个等离子体参数可以基于来自这种原位等离子体监控器的测量而被编程地调整。例如，oes传感器可以用在反馈回路中以提供对等离子体功率的编程控制。应该理解的是，在一些实施方案中，可以使用其他监控器来监控等离子体和其他处理特性。这种监控器可以包括但不限于红外(ir)监控器、声音监控器和压力传感器。在一些实施方案中，可以经由输入/输出控制(ioc)排序指令来提供用于控制器450的指令。在一个示例中，用于设置工艺阶段的条件的指令可以被包括在工艺配方的对应配方阶段中。在某些情况下，工艺配方阶段可以被顺序排列，使得工艺阶段的所有指令与该工艺阶段同时执行。在一些实施方案中，用于设置一个或多个反应器参数的指令可以被包括在配方阶段中。例如，第一配方阶段可以包括用于设定惰性气体和/或反应物气体(例如，诸如含硅前体之类的第一前体)的流率的指令、用于设定载气的流率的指令(如氩气)和第一配方阶段的时间延迟指令。随后的第二配方阶段可包括用于调节或停止惰性气体和/或反应物气体的流率的指令以及用于调节载气或清扫气体的流率的指令以及用于第二配方阶段的时间延迟指令。第三配方阶段可以包括用于调节诸如氧之类的第二反应物气体的流率的指令、用于调节载气或清扫气体的流率的指令、用于点燃具有高等离子体能量的等离子体的指令以及用于第三配方阶段的时间延迟指令。随后的第四配方阶段可包括用于调节或停止惰性气体和/或反应物气体的流率的指令、以及用于调节载气或清扫气体的流率的指令以及用于第三配方阶段的时间延迟指令。应该理解，在本公开的范围内，这些配方阶段可以以任何合适的方式被进一步细分和/或重复。此外，在一些实施方案中，用于处理站400的压力控制可由蝶阀418提供。如图4的实施方案所示，蝶阀418对由下游真空泵(未示出)提供的真空进行节流。然而，在一些实施方案中，处理站400的压力控制也可以通过改变引入到处理站400的一种或多种气体的流率来调节。如上所述，一个或多个处理站可被包括在多站处理工具中。图5示出了具有入站装载锁502和出站装载锁504的多站处理工具500的实施方案的示意图，所述入站装载锁502和出站装载锁504中的任一个或两个可以包括远程等离子体源(未示出)。在大气压力下的机械手506被配置为将晶片从通过晶舟(pod)508装载的盒子经由大气端口510移动到入站装载锁502中。在入站装载锁502中机械手506将晶片(未示出)放置在基座512上，大气端口510关闭，并且入站装载锁502被抽空。在入站装载锁502包括远程等离子体源的情况下，在被引入到处理室514中之前，可以将晶片暴露于入站装载锁502中的远程等离子体处理。此外，晶片还可以在入站装载锁502中加热，例如用于去除湿气和吸附的气体。接下来，打开到处理室514的室输送端口516，另一机械手(未示出)将晶片放入反应器中在反应器中示出的第一站的基座上以进行处理。虽然图5中描绘的实施方案包括装载锁，但是应该理解，在一些实施方案中，可以使晶片直接进入处理站。所描绘的处理室514包括四个处理站，在图5所示的实施方案中编号为1到4。每个站具有加热的基座(针对站1以518示出)和气体管线入口。应该理解，在一些实施方案中，每个处理站可以用于不同的或多个目的。例如，在一些实施方案中，处理站可以在ald和等离子体增强ald处理模式之间切换。在一些实施方案中，暴露于沉积前体和暴露于第二反应物和等离子体是在相同的站中进行。另外地或替代地，在一些实施方案中，处理室514可以包括一个或多个匹配的成对的ald和等离子体增强的ald处理站。虽然所描绘的处理室514包括四个站，但应理解，根据本发明的处理室可具有任何合适数目的站。例如，在一些实施方案中，处理室可具有五个或更多个站，而在其他实施方案中，处理室可具有三个或更少的站。图5描绘了用于在处理室514内传送晶片的晶片处理系统590的实施方案。在一些实施方案中，晶片处理系统590可以在各个处理站之间和/或在处理站与装载锁之间传送晶片。应理解，可以采用任何合适的晶片处理系统。非限制性示例包括晶片传送带和晶片处理机械手。图5还描绘了用于控制处理工具500的工艺条件和硬件状态的系统控制器550的实施方案。系统控制器550可以包括一个或多个存储器装置556、一个或多个大容量存储装置554以及一个或多个处理器552。处理器552可以包括cpu或计算机、模拟和/或数字输入/输出连接件、步进电机控制器板等。在一些实施方案中，系统控制器550控制处理工具500的所有活动。系统控制器550执行存储在大容量存储装置554中、装载到存储装置556中并在处理器552上执行的系统控制软件558。或者，控制逻辑可以在控制器550中被硬编码。专用集成电路、可编程逻辑器件(例如现场可编程门阵列或fpga)等等可以用于这些目的。在下面的讨论中，凡是使用“软件”或“编码”的地方，都可以在其中使用功能上可比较的硬编码逻辑。系统控制软件558可以包括用于控制时序、气体混合物、气体流量、室和/或站压力、室和/或站温度、等离子体暴露持续时间、uv辐射持续时间、晶片温度、目标功率水平、rf功率水平、衬底基座、卡盘和/或感测器位置以及由处理工具500执行的特定处理的其他参数。系统控制软件558可以以任何适当的方式来配置。例如，可以写入各种处理工具组件子例程或控制对象来控制用于执行各种处理工具处理的处理工具组件的操作。系统控制软件558可以用任何合适的计算机可读编程语言编码。在一些实施方案中，系统控制软件558可以包括用于控制上述各种参数的输入/输出控制(ioc)排序指令。在一些实施方案中，可以采用存储在与系统控制器550相关联的大容量存储装置554和/或存储装置556上的其他计算机软件和/或程序。用于此目的的程序或程序段的例子包括衬底定位程序、工艺气体控制程序、压力控制程序、加热器控制程序和等离子体控制程序。衬底定位程序可以包括用于处理工具部件的程序代码，其用于将衬底装载到基座518上并控制衬底与处理工具500的其他部分之间的间隔。工艺气体控制程序可以包括用于控制气体组成(例如，如本文所述的含硅气体、含氧气体、用于执行投配后处理的气体和清扫气体)和流率的代码，并且可选地用于使气体在沉积之前流入一个或多个处理站以稳定处理站中的压力。压力控制程序可以包括用于通过调节例如处理站的排放系统中的节流阀、进入处理站的气流等来控制处理站中的压力的代码。加热器控制程序可以包括用于控制流向用于加热衬底的加热单元的电流的代码。或者，加热器控制程序可以控制传热气体(例如氦气)向衬底的传送。根据本文的实施方案，等离子体控制程序可以包括用于设置施加到一个或多个处理站中的处理电极的rf功率水平的代码。根据本文的实施方案，压力控制程序可以包括用于保持反应室中的压力的代码。在一些实施方案中，可以存在与系统控制器相关联的用户界面。用户界面可以包括显示屏、装置和/或工艺条件的图形软件显示器、以及诸如定点装置、键盘、触摸屏、麦克风等用户输入装置。在一些实施方案中，由系统控制器550调节的参数可涉及工艺条件。非限制性实例包括工艺气体组成和流率、温度、压强、等离子体条件(例如，rf偏置功率电平)等。这些参数可以以配方的形式提供给用户，配方可以利用所述用户界面输入。用于监控处理的信号可以由系统控制器550的模拟和/或数字输入连接件从各种处理工具传感器提供。用于控制处理的信号可以通过处理工具500的模拟和/或数字输出连接件输出。可被监控的处理工具传感器的非限制性实例包括质量流量控制器、压力传感器(例如压力计)、热电偶等等。经适当编程的反馈和控制算法可以与来自这些传感器的数据一起使用，以保持处理条件。系统控制器550可以提供用于实现上述沉积过程的程序指令。程序指令可以控制诸如dc功率水平、rf偏置功率水平、压力、温度等各种工艺参数。根据本文描述的各种实施方案，指令可以控制参数以操作膜堆叠的原位沉积。系统控制器550通常将包括一个或多个存储器装置以及被配置为执行指令的一个或多个处理器，使得该装置将执行根据所公开的实施方案的方法。包含根据所公开的实施方案的用于控制处理操作的指令的机器可读介质可以耦合到系统控制器550。在一些实施方案中，系统控制器550是系统的一部分，该系统的一部分可以是上述实施方案的一部分。这样的系统可以包括半导体处理装置，半导体处理装置包括一个或多个加工工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定的处理部件(晶片基座、气体流动系统等)。这些系统可与电子器件集成，以便在半导体晶片或衬底的处理之前、期间或之后控制这些系统的操作。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种组件或子部分。根据处理要求和/或系统的类型，系统控制器550可以被编程，以控制本发明所公开的工艺中的任何一些，包括控制工艺气体的输送、温度的设置(例如，加热和/或冷却)、压力的设置、真空的设置、功率的设置、射频(rf)产生器的设置、rf匹配电路的设置、频率的设置、流率的设置、流体输送的设置、位置和操作的设置、晶片的进出工具和其他输送工具和/或连接到特定系统的或与特定系统接口的装载锁的传送。从广义上讲，系统控制器550可以被定义为接收指令、发出指令、控制操作、使能清洁操作、使能终点测量等的具有各种集成电路、逻辑、存储器、和/或软件的电子器件。该集成电路可以包括固件形式的存储程序指令的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是与各种单个的设置(或程序文件)形式的系统控制器550通信的指令，该设置定义在半导体晶片上或用于半导体晶片或向系统进行特定处理的操作参数。在一些实施方案中，所述操作参数可以是由工艺工程师定义的以完成晶片的一个或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、硅氧化物、表面、电路和/或管芯的制造过程中的一个或多个处理步骤的配方的一部分。在一些实施方案中，系统控制器550可以是与系统集成、耦接或者说是通过网络连接系统或它们的组合的计算机的一部分或者与该计算机耦接。例如，系统控制器550可以在“云端”或者是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，它们可以允许远程访问晶片处理。计算机可以启用对系统的远程访问以监测制造操作的当前处理，检查过去的制造操作的历史，检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数，设置处理步骤以跟随当前的处理或者开始新的工艺。在一些实例中，远程计算机(例如，服务器)可以通过网络给系统提供工艺配方，网络可以包括本地网络或互联网。远程计算机可以包括允许输入或编程参数和/或设置的用户界面，这些输入或编程参数和/或设置然后从远程计算机传送到系统。在一些实例中，系统控制器550接收数据形式的指令，这些指令指明在一个或多个操作期间将要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，这些参数可以针对将要执行的工艺类型以及工具类型，系统控制器550被配置成连接或控制该工具类型。因此，如上所述，系统控制器550可以例如通过包括一个或多个分立的控制器而分布，这些分立的控制器通过网络连接在一起并且朝着共同的目标(例如，本发明所述的工艺和控制)工作。用于这些目的的分布式控制器的实例可以是与一个或多个远程集成电路(例如，在平台水平或作为远程计算机的一部分)通信的室内的一个或多个集成电路，它们结合以控制室内工艺。示例的系统可以包括但不限于，等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转冲洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及在半导体晶片的制备和/或制造中可以关联上或使用的任何其他的半导体处理系统。如上所述，根据工具将要执行的一个或多个工艺步骤，系统控制器550可以与一个或多个其他的工具电路或模块、其他工具组件、组合工具、其他工具界面、相邻的工具、邻接工具、位于整个工厂中的工具、主机、另一个控制器、或者在将晶片的容器往来于半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口搬运的材料搬运中使用的工具通信。在2011年4月11日提交的名称为“plasmaactivatedconformalfilmdeposition”的美国专利申请no.13/084,399(现为美国专利8,728,956)和在2011年4月11日提交的名称为“siliconnitridefilmsandmethods”的美国专利申请no.13/084,305中进一步讨论和描述了用于执行本文公开的方法的适当装置，这些专利文件分别全部并入本文。本文描述的装置/工艺可以与光刻图案化工具或工艺结合使用，例如用于制造或制备半导体器件、显示器、led、光伏板等。典型地，但不必需地，这样的工具/工艺将被用于或者在共同的制造设施中一起进行。光刻图案化膜通常包括以下操作中的一些或全部，每种操作可用多个可能的工具实现：(1)使用旋涂或喷涂工具在工件(即衬底)上涂覆光致抗蚀剂；(2)使用热板或炉或uv固化工具固化光致抗蚀剂；(3)用诸如晶片步进机之类的工具将光致抗蚀剂暴露于可见光或uv或x射线光；(4)使抗蚀剂显影以选择性地去除抗蚀剂，从而使用诸如湿台之类的工具对其进行图案化；(5)通过使用干式或等离子体辅助蚀刻工具将抗蚀剂图案转移到底层膜或工件中；和(6)使用诸如rf或微波等离子体抗蚀剂剥离器之类的工具去除抗蚀剂。工艺气体可以通过位于上室中的一个或多个主气流入口660和/或通过一个或多个侧气流入口670流入处理室。类似地，尽管未明确示出，类似的气流入口可用于将工艺气体供应到电容耦合等离子体处理室。可以使用真空泵(例如，一级或两级机械干泵和/或涡轮分子泵640)将工艺气体抽出处理室624并保持处理室600内的压力。例如，泵可以用于抽空室601。可以使用阀控管道将真空泵流体连接到处理室，以便选择性地控制真空泵提供的真空环境的施加。这可以在操作等离子体处理期间采用闭环控制的流动限制装置(诸如节流阀(未示出)或摆动阀(未示出))来完成。同样地，也可以采用与电容耦合的等离子体处理室流体连接的真空泵和受控阀。在装置的操作期间，可以通过气流入口660和/或670供应一种或多种工艺气体。在某些实施方案中，工艺气体可以仅通过主气流入口660供应，或者仅通过侧气流入口670供应。在一些情况下，图中所示的气流入口可被替换为更复杂的气流入口，例如一个或更多个喷头。法拉第屏蔽649和/或可选栅格650可以包括允许将工艺气体输送到室的内部通道和孔。法拉第屏蔽649和可选的栅格650中的任一个或两个可以充当用于输送工艺气体的喷头。在一些实施方案中，液体汽化和输送系统可以位于室601的上游，使得一旦液体反应物汽化，就将汽化的反应物经由气流入口660和/或670引入到室中。从rf电源641向线圈633供应射频功率以使得rf电流流过线圈633。流过线圈633的rf电流在线圈633周围产生电磁场。电磁场在上部子室602内产生感应电流。各种产生的离子和自由基与晶片619物理和化学相互作用而选择性地蚀刻晶片上的特征并沉积层在晶片上。如果使用等离子体栅格使得存在上部子室602和下部子室603两者，则感应电流作用于存在于上部子室602中的气体以在上部子室602中产生电子-离子等离子体。可选的内部等离子体栅格650限制下部子室603中的热电子的量。在一些实施方案中，装置被设计和操作成使得存在于下部子室603中的等离子体是离子-离子等离子体。上部的电子-离子等离子体和下部的离子-离子等离子体都可以包含正离子和负离子，但离子-离子等离子体将具有更大比例的负离子与正离子。挥发性蚀刻和/或沉积副产物可以通过端口622从下部子室603移除。本文公开的卡盘617可以在约10℃和约850℃之间范围的升高的温度下操作。温度取决于工艺操作和具体配方。当安装在洁净室或制造设施中时，室601可以连接到设施(未示出)。设施包括提供工艺气体、真空、温度控制和环境颗粒控制的管道。当安装在目标制造设施中时，这些设施被耦合到室601。另外，室601可以连接到传送室，传送室允许机械手使用典型的自动化系统将半导体晶片传送进出室601。在一些实施方案中，系统控制器630(其可以包括一个或多个物理或逻辑控制器)控制处理室的一些或全部操作。系统控制器630可以包括上面关于系统控制器550描述的任何一个或多个特性。图7描绘了具有与真空传输模块738(vtm)接口的各种模块的半导体工艺集群架构。传送模块在多个存储设施和处理模块之间“传送”晶片的布置可以被称为“集群工具架构”系统。在vtm738中示出了也称为装载锁或传输模块的气闸730，其具有四个处理模块720a-720d，四个处理模块720a-720d可被单独优化以执行不同制造工艺。作为示例，处理模块720a-720d可以被实现为执行衬底蚀刻、沉积、离子注入、晶片清洁、溅射和/或其他半导体工艺。在一些实施例中，在相同模块中执行ald和选择性蚀刻。在一些实施方案中，在同一工具的不同模块中执行ald和选择性蚀刻。根据所公开的实施方案，一个或多个衬底蚀刻处理模块(720a-720d中的任一个)可以如本文所公开的那样实现，即，用于沉积保形膜、通过ald选择性地沉积膜、蚀刻图案以及其他合适的功能。气闸730和处理模块720可以被称为“站”。每个站具有将站连接到vtm738的端面736。在每个端面内，传感器1-18被用于检测晶片726的在相应站之间移动时的通过。机械手722在站之间传送晶片726。在一个实施方案中，机械手722具有一个臂，并且在另一个实施方案中，机械手722具有两个臂，其中每个臂具有末端执行器724以拾取诸如晶片726之类的晶片以用于运输。在大气传送模块(atm)740中的前端机械手732被用于将来自装载端口模块(lpm)742中的盒或前开口式统一盒(foup)734的晶片726传送到气闸730。在处理模块720内的模块中心728是用于放置晶片726的一个位置。atm740中的对准器744用于对准晶片。在示例性处理方法中，将晶片放置在lpm742中的foup734中的一个中。前端机械手732将晶片从foup734传送到对准器744，对准器744使得晶片726在蚀刻或处理之前能适当地居中。在对准之后，晶片726被前端机械手732移动到气闸730中。由于气闸模块具有匹配atm和vtm之间的环境的能力，所以晶片726能够在两个压力环境移动而没有被损坏。从气闸模块730，晶片726被机械手722通过vtm738移动到处理模块720a-720d中的一个中。为了实现这种晶片移动，机械手722在其每个臂上使用末端执行器724。一旦晶片726已经被处理，其就由机械手722从处理模块720a-820d移动到气闸模块730。从这里，晶片726可以被前端机械手732移动到foup734中的一个或者移动到对准器744。应该注意的是，控制晶片移动的计算机可以相对于集群架构是本地的、或者可以位于制造楼层中的集群架构的外部、或者位于远程位置并且经由网络连接到集群架构。上面关于图5描述的控制器可以用图7中的工具来实现。图8示出了用于将衬底816暴露于紫外线辐射的曝光室824的示例的示意图。例如，图8中所示的装置800可以用于执行如上面参考图3所述的操作312。装置800被配置为产生紫外线辐射。装置800具有由喷头组件或面板817分开的等离子体产生部分811和曝光室824。在曝光室824内，压板(或台)818提供晶片支撑。压板818配有加热/冷却元件。在一些实施方案中，压板818还被配置用于向衬底816施加偏置。在曝光室824中经由真空泵经由导管807获得低压。气态处理气体源通过入口812提供流入等离子体产生部分811的气体流。等离子体产生部分811可以被感应线圈(未示出)包围。在操作期间，将气体混合物引入等离子体产生部分811，感应线圈被激励并且在等离子体产生部分811中产生等离子体。喷头组件814可具有施加的电压并终止一些离子的流动且允许中性物质流入曝光室824。装置800包括用于控制装置800的处理条件和硬件状态的系统控制器850。控制器850可以具有上面参照图5描述的控制器550的任何特征。实验实验1：温度和rf功率进行实验以评估在各种沉积温度下用于间隔物的氧化硅材料的模量。该实验涉及使用360jrf能量时的不同温度。在下面的表1提供的沉积温度(50℃、75℃、80℃和150℃)、等离子体rf功率(900w)和持续时间(0.4秒)下，将衬底暴露于氨基硅烷和o2/ar等离子体的交替脉冲，其中衬底901、902、903、904、905和906分别对应于图9的点901、902、903、904、905和906。例如，在80℃的沉积温度，使用900w的等离子体rf功率，等离子体脉冲持续0.4秒，rf能量为360j这些条件下，衬底905暴露于氨基硅烷和o2/ar等离子体的交替脉冲，并且在图9中显示为点905。在用于这些衬底的氧化硅膜的30nm压痕深度或位移和相应的工艺条件下得到的模量总结在下表1中。温度如图9所绘制的。表1.模量与温度的关系如图所示，通常，升高的温度增加了沉积的氧化硅的模量。实验2：rf能量和模量进行实验以评估增加rf能量对氧化硅间隔物材料的模量的影响。第一次试验涉及四个衬底，每个衬底在50℃下以不同的rf能量沉积。使用900w的等离子体rf功率，持续0.4秒的脉冲，以及因此360j的rf能量，将两个衬底分别暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。使用1600w的等离子体rf功率，持续0.4秒的脉冲，以及因此640j的射频能量，将第三衬底暴露于交替脉冲的氨基硅烷和o2/ar。使用1600w的等离子体rf功率，持续1.2秒的脉冲，以及因此1920j的射频能量，将第四衬底暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。这些在图10中绘制为圆。如图所示，随着rf能量增加，模量也增加。总结该数据的表格在下面的表2中提供。表2.在50℃的沉积温度下的模量和rf能量第二次试验涉及五个衬底，每个衬底在75℃下用不同的rf能量沉积。使用900w的等离子体rf功率，持续0.4秒的脉冲，以及因此360j的rf能量，将前两个衬底分别暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。使用1600w的等离子体rf功率，持续0.4秒的脉冲，以及因此640j的rf能量，将第三和第四衬底各自暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。使用1600w的等离子体rf功率，持续1.2秒的脉冲，以及因此1920j的rf能量，将第五衬底暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。在图10中将这些绘制成正方形。如图所示，随着rf能量增加，模量也增加。总结该数据的表以下面的表3中提供。表3.在75℃沉积温度下的模量和rf能量衬底温度rf功率rf时间rf能量在30nm处的模量175℃900w0.4秒360j51gpa275℃900w0.4秒360j56gpa375℃1600w0.4秒640j58gpa475℃1600w0.4秒640j59gpa575℃1600w1.2秒1920j67gpa第三次试验涉及2个衬底，每个衬底在80℃下用不同的rf能量沉积。使用900w的等离子体rf功率，持续0.4秒的脉冲，以及因此360j的rf能量，将第一衬底暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。使用1600w的等离子体rf功率，持续1.2秒的脉冲，以及因此1920j的rf能量，将第二衬底暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。在图10中将这些绘制成菱形。如图所示，随着rf能量增加，模量也增加。总结该数据的表以下面的表4中提供。表4.在80℃沉积温度下的模量和rf能量衬底温度rf功率rf时间rf能量在30nm处的模量180℃900w0.4秒360j53gpa280℃1600w1.2秒1920j68gpa第三次试验涉及3个衬底，每个衬底在150℃下用不同的rf能量沉积。使用900w的等离子体rf功率，持续0.4秒的脉冲，以及因此360j的rf能量，将衬底分别暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。使用900w的等离子体rf功率，持续1.2秒的脉冲，以及因此1080j的rf能量，将第三暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。使用1600w的等离子体rf功率，持续1.2秒的脉冲，以及因此1920j的rf能量，将第三衬底暴露于氨基硅烷和o2/ar的交替脉冲。在图10中将这些绘制成三角形。如图所示，随着rf能量增加，模量也增加。总结该数据的表以下面的表5中提供。表5.在150℃沉积温度下的模量和rf能量衬底温度rf功率rf时间rf能量在30nm处的模量1150℃900w0.4秒360j59gpa2150℃900w1.2秒1080j69gpa3150℃1600w0.4秒1920j70gpa如上所述，增加的rf能量增加了模量。而且，基于实验1和2，可以得出结论，增加温度和rf能量两者导致协同效应，其增加的模量比仅增加温度或仅增加rf能量而增加的模量更多。实验3：uv处理和模量进行实验以评估将沉积的氧化硅材料暴露于uv辐射对氧化硅间隔物材料的模量的影响。第一次试验涉及三个衬底，每个衬底在不进行uv处理的情况下在50℃下用不同rf能量(360j、640j和1920j)沉积，以及三个衬底，每个衬底在50℃下用相同的rf能量在uv处理下沉积。将结果在图11中绘制成将未经uv处理的衬底(实心黑色圆)与经uv处理(白色圆)的衬底进行比较。如图所示，在360j的rf能量下，经uv处理的衬底显示出更高的模量。对于640j和1920j的衬底描绘了相同的趋势。结果也总结在下表6中。表6.对在50℃下沉积的衬底的uv处理第二次试验涉及三个衬底，每个衬底在不进行uv处理的情况下在75℃下用不同rf能量(360j、640j和1920j)沉积，以及三个衬底，每个衬底在75℃下用相同的rf能量在uv处理下沉积。将结果在图11中绘制成将未经uv处理的衬底(实心黑色三角形)与经uv处理(白色三角形)的衬底进行比较。如图所示，在360j的rf能量下，经uv处理的衬底显示出更高的模量。对于640j和1920j的衬底描绘了相同的趋势。结果也总结在下表7中。表7.在75℃下沉积的衬底的uv处理这些结果与实验1和2的结果相结合表明，结合沉积期间增加的沉积温度、增加的rf能量和uv处理的协同效应导致实现最高模量的膜。结论尽管为了清楚理解的目的已经相当详细地描述了前述实施方案，但是显然可以在所附权利要求的范围内实施某些改变和修改。应该注意的是，实现这些实施方案的工艺、系统和装置有很多替代方式。因此，本文的实施方案被认为是说明性的而不是限制性的，并且实施方案并不限于这里给出的细节。当前第1页12