技术编号:18005954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于相变存储技术领域,特别是涉及一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器。背景技术传统的多态存储技术所采用的方法是通过对处于RESET态的PCRAM(相变随机存储器)施加不同数目的编程脉冲,而获得不同阻值的电阻状态。其基本原理是相变材料的晶粒生长是一个连续渐变的过程,编程脉冲的数目可以控制PCRAM中相变材料晶化的比例。但基于晶化比例的不同实现的多值存储,存在着显而易见的缺点,其只有高阻态和低阻态是两个稳定的状态,表现为两个平缓的“台阶”,介于高阻态和低阻态之间没有平缓的停留...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。