技术编号:1808418
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属太阳能电池薄膜器件制备工艺。背景技术氧化锌(ZnO)是一种I1-VI族宽禁带氧化物半导体材料,其带宽约为3.37eV,呈现良好的η型半导体性能,具有很好的光电性质。ZnO具有制备成本低、生长温度低的特点,有利于降低设备成本,抑制固相外扩散,提高薄膜质量,也易于实现掺杂。同时,ZnO薄膜的原料丰富、无毒、对环境没有污染,是一种环保型材料,基于这些优良性能,ZnO可用作太阳能电池的窗口材料。硫化锌(ZnS)也是宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。