技术编号:1809115
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光学材料,更具体地,涉及。背景技术ZnO是一种重要的直接宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37 eV,具有较大的激子束缚能(60 meV)。同时它也是一种多功能氧化物材料,在光电、压电、热电、铁电和铁磁等各个领域都具有优异的性能,已广泛地应用于表面声波器件、太阳能电池、气敏、压敏以及光电器件上。由于原材料资源丰富、价格便宜,对环境无毒害,故近年来成为继GdN之后国际上又一研究热点。自从2001年Huang等人在蓝宝石基底上合成ZnO纳米棒阵...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。