技术编号：18124847
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件测试领域，尤其涉及一种金属绝缘层金属结构的产热时间提取方法。背景技术金属绝缘层金属(MIM)结构是一种常见的电路器件，比如金属氧化物半导体(MOS)结构，以及磁隧穿结(MTJ)。当绝缘层厚度极小是，由于隧穿效应，当加载电压时，存在可观的电流流过金属绝缘层金属结构。这一电流将在器件的工作时间内产生热量，使得器件的温度远高于器件所处的环境温度。由于电子散射主要发生在绝缘层与金属的界面，这一界面是主要的热源。同时，绝缘层的热导通常较低，这导致大量热集中在绝缘层中，使其温度在整个器件...
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