技术编号：18218933
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，特别是涉及用于形成与抗蚀剂图案的密合性提高了的抗蚀剂下层膜的组合物，进一步，涉及即使在形成薄的膜厚(例如25nm以下)的抗蚀剂下层膜的情况下向基板的涂布性也优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。背景技术在ArF液浸光刻、超紫外线(EUV)光刻中，要求抗蚀剂图案线宽的加工尺寸的微细化。在这样的微细的抗蚀剂图案的形成中，由于抗蚀剂图案与基底基板的接触面积变小，因而抗蚀剂图案的高宽比(抗蚀剂图案的高度/抗蚀剂图案的线宽)变大，担心易于发生抗蚀剂图案的坍塌。因此，对于...
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