技术编号:18354414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器测试领域,具体涉及一种存储单元的电容测试装置,还涉及一种存储单元的电容测试方法,以及一种半导体存储器。背景技术在动态随机存储器(DRAM)中,包括大量存储单元,存储单元的电容一般很小(约几十fF量级),目前为了测量出单个存储单元的电容值,采用的方法是将整个存储阵列中的所有存储单元的电容并联起来,通过LCR Meter测量出所有并联的存储单元的电容值,进而根据电路中并联的存储单元的数量计算出单个存储单元的电容值。然而,由于测试精度的影响,传统LCR测试计算出的存储单元的电容是...
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