技术编号:1837452
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低成本制备高强度、低介电常数氮化硅多孔陶瓷及制备方法,属于多孔陶瓷领域。背景技术 多孔陶瓷以其轻质、高渗透率、高温性能稳定、耐酸碱腐蚀性好和良好的催化活性等优点,广泛地用于过滤器、催化剂载体、热绝缘材料和耐火材料等领域。氮化硅多孔陶瓷由于同时还具有低热膨胀系数、高热导率和优异的机械性能,因而表现出广阔的应用前景。王红洁等人(中国专利,申请号200410073163.9)以氮化硅、酚醛树脂为原料,氧化铝和氧化钇为烧结助剂,在氮气气氛,于1700...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。