技术编号：18403612
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory，MRAM)制造技术领域，具体为一种制备磁性隧道结单元阵列的方法。背景技术近年来，采用磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction，即MTJ)的MRAM被人们认为是未来的固态非易失性记忆体，它具有高速读写、大容量以及低能耗的特点，铁磁性MTJ通常为三明治结构，其中有磁性记忆层，它可以改变磁化方向以记录不同的数据；位于中间的绝缘的隧道势垒层；磁性参考层，位于隧道势垒层的另一侧，它的磁化方向不变。为能...
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