技术编号：18426755
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其是涉及一种半桥拓扑电路。背景技术传统MOSFET半桥(参考图1)，半桥后级一般为电感或者变压器，与母线之间存在能量交换，MOSFET体内二极管就会有电流流过，此时必须考虑反向恢复时间的带来问题，如此便需要给上下管设置更大的死区时间，当母线为高压时，(常见PFC后400V或交流220V 整流滤波后310V)会导致功率器件选型范围变窄：高压MOSFET的体内寄生二极管反向恢复时间一般为大于300～800ns，半桥死区的时间必须大于寄生二极管的自恢复时间，否则容易发...
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