技术编号:1845431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及有效适用于通过液封直拉(LEC)法制备例如ZnTe系化合物半导体单晶的方法的技术。背景技术 目前,ZnTe系化合物半导体单晶是有望能在纯绿色的发光元件中得到应用的晶体。通常,ZnTe系化合物半导体单晶大多采用如下的气相生长法制备在石英安瓿内的一端设置原料ZnTe多晶,加热该多晶,使其在熔点附近的温度升华,同时使ZnTe单晶在设置于石英安瓿另一侧的基片上析出。通过该方法可得到最大约20mm×20mm的矩形ZnTe单晶基片。最近,为了进一步...
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