技术编号:18456276
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学技术领域,具体为一种合成高纯Ti3SiC2的方法。背景技术Ti3SiC2材料是一类三元层状化合物,其晶体结构与层状石墨类似,将Si原子层从其中除去便可。以得到类似于石墨烯的层状结构,非常适合离子的嵌入和脱嵌,具有较高的电导率;材料表面良好的亲水性,与电解液湿润性良好;较高的弹性模数,抗拉压能力;工作电压低,可满足低电压工作的需求,在锂离子电池和超级电容器中有广泛的应用前景。就目前来说,制备Ti3SiC2的主要方法有:热压法、机械合金辅助合成、熔盐法。EI-Raghy等人以钛粉、碳化...
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