技术编号:18460292
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术IGBT(绝缘栅双极型晶体管)结合了MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)结构以及双极型晶体管的工作机理,在功率半导体领域,IGBT结构的提出实现了高耐压与低损耗共存,在目前的中大功率应用领域,尤其是1000V以上的应用场合,IGBT具有很强的性能优势。传统的IGBT在关断时,需要消耗一定时间来完成从漂移区抽取集电层曾注入的少数载流子,导致关断时间显著增加,因此限制了IGBT的工作频率。此外,IGBT正向导通时的导通压...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。