技术编号：18460727
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子功能器件技术领域，具体涉及一种基于Ti3C2-MXene薄膜功能层的选通器件及其制备方法。背景技术随着信息技术的发展，大数据时代人们对数据存储的需求与日剧增。目前主流硅基浮栅存储技术面临理论和技术限制，尺寸难以持续缩小，同时平面集成架构难以进一步提高存储密度来满足大数据时代对存储器的需求。基于新材料、新结构、新原理和新集成架构的新型存储技术成为未来高密度存储发展的趋势，阻变存储器(RRAM)是可以解决传统多晶硅浮栅技术瓶颈的代表性候选技术之一，RRAM通过材料电阻的可逆转变实现存...
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