技术编号：18465768
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开总体上涉及半导体结构，并且更特别地，涉及背栅调谐电路和制造方法。背景技术随着器件尺寸的不断缩小，出现了诸如随机电报噪声(RTN)的某些缺陷。例如，RTN是包括电子噪声的一类缺陷驱动现象，该电子噪声对引起纳米级器件中的依赖性问题负责，纳米级器件诸如图像信号处理器(ISP)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和闪存以及其他器件。作为示例，RTN可以通过防止低光照条件下可实现的图像质量来限制ISP器件的性能。具体地，RTN可能对像素的输出产生负面影响，从而妨碍了可实现...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。